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Nordic nRF5 SDK與Softdevice深度解析：開發(fā)BLE應(yīng)用的底層邏輯與避坑指南
在BLE（藍(lán)牙低功耗）應(yīng)用開發(fā)領(lǐng)域，Nordic的nRF5系列芯片（如nRF51、nRF52）因其低功耗、高集成度的特性，成為開發(fā)者的首選。而支撐這些芯片運行的“底層基石”，正是nRF5 SDK（軟件開發(fā)工具包）與Softdevice（藍(lán)牙協(xié)議棧）。然而，很多開發(fā)者對兩者的關(guān)系、版本選擇及目錄結(jié)構(gòu)存在困惑——比如，SDK是“工具”還是“協(xié)議?！保縎oftdevice為什么不能隨便升級？本文將從開發(fā)邏輯出發(fā)，深度解析這兩個工具的核心作用、使用誤區(qū)及最佳實踐，幫你搭建清晰的BLE開發(fā)底層認(rèn)知。
2025-08-20
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工業(yè)充電器能效革命：碳化硅技術(shù)選型與拓?fù)鋬?yōu)化實戰(zhàn)
隨著800V高壓平臺在電動汽車與工業(yè)儲能領(lǐng)域加速滲透，傳統(tǒng)硅基功率器件正面臨開關(guān)損耗與散熱設(shè)計的雙重瓶頸。以碳化硅（SiC）MOSFET為代表的新型半導(dǎo)體，憑借10倍于IGBT的開關(guān)頻率和85%的能效提升率，正推動工業(yè)充電器架構(gòu)向高頻化、集成化躍遷。本文深度解析SiC技術(shù)賦能的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)選型策略，揭曉如何在LLC諧振、圖騰柱PFC等創(chuàng)新方案中精準(zhǔn)匹配功率器件參數(shù)，實現(xiàn)系統(tǒng)成本與性能的黃金平衡點。
2025-08-19
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工業(yè)充電器PFC拓?fù)溥M化論：SiC如何重塑高效電源設(shè)計？
在工業(yè)4.0時代，從便攜式電動工具到重型AGV（自動導(dǎo)引車），電池供電設(shè)備正加速滲透制造業(yè)、倉儲物流和建筑領(lǐng)域。然而，工業(yè)級充電器的設(shè)計挑戰(zhàn)重重：既要承受嚴(yán)苛環(huán)境（如高溫、震動、粉塵），又需在120V~480V寬輸入電壓下保持高效穩(wěn)定，同時滿足輕量化、無風(fēng)扇散熱的需求。碳化硅（SiC）功率器件的崛起，正為這一難題提供破局關(guān)鍵——其超快開關(guān)速度和低損耗特性，不僅提升了功率密度，更解鎖了傳統(tǒng)IGBT難以實現(xiàn)的新型PFC（功率因數(shù)校正）拓?fù)洹１疚膶⑸钊虢馕龉I(yè)充電器的PFC級設(shè)計策略，助您精準(zhǔn)選型。
2025-08-18
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電源架構(gòu)設(shè)計智能化革命：ADI三駕馬車如何重塑開發(fā)范式
在電子系統(tǒng)功耗管理日益復(fù)雜的背景下，電源架構(gòu)設(shè)計正經(jīng)歷從經(jīng)驗驅(qū)動到工具賦能的范式轉(zhuǎn)移。全球模擬半導(dǎo)體巨頭ADI公司推出的LT工具鏈（LTspice/LTpowerCAD/LTpowerPlanner），構(gòu)建了覆蓋電路仿真、參數(shù)優(yōu)化到系統(tǒng)規(guī)劃的全流程解決方案。這套工具鏈正在改變工程師設(shè)計電源系統(tǒng)的基本邏輯，將傳統(tǒng)耗時數(shù)周的設(shè)計周期壓縮至小時級精度迭代。
2025-08-18
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X-HBM架構(gòu)橫空出世：AI芯片內(nèi)存技術(shù)的革命性突破
在AI算力需求呈指數(shù)級增長的今天，內(nèi)存帶寬已成為制約大模型發(fā)展的關(guān)鍵瓶頸。NEO Semiconductor最新發(fā)布的X-HBM架構(gòu)，以其32K位總線和單芯片512Gbit容量的驚人規(guī)格，一舉突破傳統(tǒng)HBM技術(shù)的物理限制，為下一代AI芯片提供了高達(dá)16倍帶寬和10倍密度的內(nèi)存解決方案，這標(biāo)志著AI硬件發(fā)展進入全新階段。
2025-08-12
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DIC EXPO 2025國際（上海）顯示技術(shù)及應(yīng)用創(chuàng)新展盛大開幕！
全球顯示產(chǎn)業(yè)界翹首以盼的年度盛會——DIC EXPO 2025國際（上海）顯示技術(shù)及應(yīng)用創(chuàng)新展今日在上海新國際博覽中心隆重開幕！本屆展會由中國光學(xué)光電子行業(yè)協(xié)會液晶分會（CODA）主辦，上海勵程展覽有限公司承辦，以“AI·顯示 再謀新篇“為主題，匯聚全球顯示產(chǎn)業(yè)精英，共同見證新時代顯示技術(shù)的創(chuàng)新突破與產(chǎn)業(yè)發(fā)展的嶄新篇章。
2025-08-11
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800V高壓平臺突圍！安森美碳化硅技術(shù)賦能小米YU7性能躍升
安森美宣布，其基于EliteSiC M3e技術(shù)打造的800V高壓驅(qū)動平臺已應(yīng)用于小米汽車旗下YU7電動SUV部分車型。該平臺憑借高性能碳化硅（SiC）技術(shù)，可助力電動汽車制造商優(yōu)化牽引系統(tǒng)設(shè)計，實現(xiàn)更緊湊、輕量化及高可靠性的動力解決方案。
2025-08-04
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芯?？萍急R國建：用“芯片+AI+數(shù)據(jù)”重新定義健康管理
芯海科技在全信號鏈芯片設(shè)計領(lǐng)域耕耘了22年，是國內(nèi)少有擁有“模擬+MCU”雙平臺驅(qū)動，同時提供物聯(lián)網(wǎng)一站式整體解決方案的IC設(shè)計企業(yè)。在體征數(shù)據(jù)量測領(lǐng)域芯?？萍家惨迅帕耸辏?015年起投入生物測量芯片研發(fā)，公司自主研發(fā)的高精度生物測量芯片及模組（BIA/PPG/ECG等）已實現(xiàn)對人體成分、心率、體脂、肌肉量等30+人體成分的動態(tài)采集，精度對標(biāo)醫(yī)療級設(shè)備，如八電極人體成分分析儀，與行業(yè)金標(biāo)DXA檢測結(jié)果的相關(guān)性達(dá)0.95以上?！绑w重的測量或人體成分，就是人們身體健康的‘隱形推手’?！北R國建強調(diào)。
2025-08-01
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安森美與舍弗勒強強聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動新一代PHEV平臺
安森美（onsemi）與驅(qū)動技術(shù)領(lǐng)軍企業(yè)舍弗勒（Schaeffler）進一步深化技術(shù)合作，雙方在最新中標(biāo)項目中采用安森美新一代EliteSiC碳化硅MOSFET產(chǎn)品系列。該方案將應(yīng)用于舍弗勒主驅(qū)逆變器，為全球知名汽車制造商的先進插電式混合動力電動汽車（PHEV）平臺提供核心動力支持。此次合作標(biāo)志著碳化硅技術(shù)在新能源車載系統(tǒng)中的關(guān)鍵落地，助力PHEV性能與能效雙重升級。
2025-08-01
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貿(mào)澤電子自動化資源中心上線：工程師必備技術(shù)寶庫
全球知名半導(dǎo)體與電子元器件分銷商貿(mào)澤電子（Mouser Electronics）近日重磅推出全新自動化資源中心，聚焦控制系統(tǒng)、機器人及先進自動化軟件等前沿技術(shù)，為工程師提供一站式技術(shù)動態(tài)與解決方案，助力行業(yè)創(chuàng)新加速。這一平臺不僅匯聚了最新技術(shù)進展，更通過結(jié)構(gòu)化資源整合，成為工程師探索工業(yè)自動化未來的核心樞紐。
2025-08-01
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隔離變壓器全球競爭圖譜：從安全隔離到能源革命的智能屏障
在工業(yè)設(shè)備、新能源系統(tǒng)和精密儀器中，電流的每一次跨域傳輸都潛藏著安全風(fēng)險與信號干擾的威脅。隔離變壓器作為電氣系統(tǒng)中的“安全翻譯官”，通過阻斷原副邊繞組的直接電流通路，僅允許能量通過電磁感應(yīng)傳遞，實現(xiàn)了電壓轉(zhuǎn)換與電氣隔離的雙重使命。當(dāng)交流電通過初級線圈時，鐵芯中產(chǎn)生的交變磁場在次級線圈中感應(yīng)出電壓，而絕緣介質(zhì)的質(zhì)量和結(jié)構(gòu)設(shè)計直接決定了其安全隔離性能——傳統(tǒng)硅鋼片鐵芯依賴物理絕緣層，而ADI的iCoupler?等片上變壓器技術(shù)則利用聚酰亞胺隔離層（厚度約20μm，擊穿強度>300V/μm）實現(xiàn)高達(dá)6kV的隔離能力。
2025-08-01
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貿(mào)澤推出EIT系列重塑AI與人類智慧工程設(shè)計協(xié)同創(chuàng)新新范式
全球電子元器件知名代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 新一期EIT系列《用AI工具推動工程創(chuàng)新》，通過前沿洞察與實踐案例，為行業(yè)提供了探索這一協(xié)同關(guān)系的核心視角，助力工程師在AI時代掌握更強大的創(chuàng)新工具。AI與人類智慧的協(xié)同，正為工程設(shè)計打開全新維度。AI工具以數(shù)據(jù)驅(qū)動簡化流程，工程師則以經(jīng)驗與創(chuàng)造力校準(zhǔn)方向，二者互補共進，重新定義“高效創(chuàng)新”的邊界。
2025-07-30
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