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探究變頻器的電磁兼容與電磁干擾抑制問題
隨著國際標準的強制執(zhí)行，再加上科研過程中不斷出現(xiàn)新的電磁干擾問題，使得變頻器的電磁兼容問題成為亟待解決的問題。本文從分析pwm變頻器傳導干擾機理入手，總結(jié)了目前傳導干擾的抑制措施，具有參考意義。總的來說，變頻器的電磁兼容設(shè)計還處于初期階段，還需要我們付出長期不懈的努力。相信在未來...
2011-08-30
變頻器 電磁兼容 電磁干擾 EMC EMI PWM
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屋頂光伏發(fā)電“十二五”擬增九倍
據(jù)權(quán)威人士透露，根據(jù)正在擬定的《可再生能源發(fā)展“十二五”規(guī)劃》，光伏發(fā)電裝機目標被確定為到2015年達1000萬千瓦，到2020年達5000萬千瓦。值得注意的是，到2015年，屋頂光伏電站規(guī)模為300萬千瓦，到2020年則達2500萬千瓦。截至2010年，屋頂光伏電站的裝機規(guī)模約30萬千瓦。
2011-08-30
屋頂光伏 光伏 太陽能
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利用示波器有效輔助開關(guān)電源設(shè)計Q/A
本文通過問答的形式，介紹如何利用示波器有效輔助開關(guān)電源的設(shè)計。
2011-08-29
示波器 開關(guān)電源 紋波 電磁干擾 EMI
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單正向柵驅(qū)動IGBT簡化驅(qū)動電路
為了防止高dV/dt應用于橋式電路中的IGBT時產(chǎn)生瞬時集電極電流，設(shè)計人員一般會設(shè)計柵特性是需要負偏置柵驅(qū)動的IGBT。然而提供負偏置增加了電路的復雜性，也很難使用高壓集成電路（HVIC）柵驅(qū)動器，因為這些IC是專為接地操作而設(shè)計──與控制電路相同。因此，研發(fā)有高dV/dt能力的IGBT以用于“單正向”柵...
2011-08-29
柵驅(qū)動 IGBT 驅(qū)動電路
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太陽能電池模塊2011年銷售額將與上年持平
據(jù)美國IHS iSuppli預測，全球2011年的太陽能電池模塊銷售額將與2010年的346億美元持平。雖然太陽能電池系統(tǒng)的設(shè)置量本身增加，但是受模塊價格在2011年上半年暴跌的影響，銷售額增長乏力。
2011-08-29
太陽能 太陽能電池 太陽能電池系統(tǒng) 太陽能電池模塊
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ASSP XOTM系列：Pericom推出特定應用電壓控制的晶體振蕩器
全球領(lǐng)先的高速連接、時鐘和信號調(diào)節(jié)芯片及晶振解決方案供應商百利通半導體公司（Pericom，納斯達克股票市場代碼：PSEM）日前宣布：擴展其特定應用晶體振蕩器（ASSP XOTM）系列，推出一條新的ASSP電壓控制晶體振蕩器（VCXO）產(chǎn)品線。這些解決方案以滿足日益增加的通信基礎(chǔ)設(shè)施、寬帶接入和以太網(wǎng)市...
2011-08-29
Pericom 晶體 ASSP VCXO
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同步整流以及電荷保持驅(qū)動技術(shù)
目前,越來越多的IC芯片都需要低電壓供電。隨著功率變換器輸出電壓的降低,整流損耗成為變換器的主要損耗。為使變換器達到很高的效率,必須降低整流損耗。我們采用低導通電阻的MOSFET 進行整流,這是提高變換器效率的一種有效途徑。
2011-08-29
整流 電荷 變壓器 開關(guān)管
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PMOS開關(guān)管的選擇與電路圖
在功率系統(tǒng)中，MOSFET可被看成電氣開關(guān)。當在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時，其開關(guān)導通。導通時，電流可經(jīng)開關(guān)從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個內(nèi)阻，稱為導通電阻RDS(ON)。必須清楚MOSFET的柵極是個高阻抗端，因此，總是要在柵極加上一個電壓。
2011-08-26
PMOS開關(guān)管 開關(guān)管 MOSFET 二極管
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Vishay 新型電子元器件在工業(yè)及新能源中的應用
知名分立器件和被動元件供應商Vishay 繼23日在成都成功舉辦了技術(shù)專場之后，25日整體技術(shù)團隊移師西安，進一步把在工業(yè)及新能源應用的新型元器件技術(shù)帶給西部的電子市場。會議集電源管理、二極管與功率模塊、電容、光耦四場技術(shù)演講，全面講解了新型元器件在新能源、逆變器、通訊、高可靠性和工業(yè)領(lǐng)...
2011-08-25
Vishay 新能源元器件 2011西部電子論壇
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