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如何提高晶體管的開關(guān)速度
晶體管的開關(guān)速度即由其開關(guān)時間來表征，開關(guān)時間越短，開關(guān)速度就越快。BJT的開關(guān)過程包含有開啟和關(guān)斷兩個過程，相應(yīng)地就有開啟時間ton和關(guān)斷時間toff，晶體管的總開關(guān)時間就是ton與toff之和。
2019-09-02
晶體管 開關(guān)速度
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開關(guān)電源為啥有時候會叫？如何消除？
穩(wěn)壓電源電路輸出的開關(guān)電流的頻率，或周期性脈沖群的周期頻率，或毛刺的周期頻率落入20~20kHz的音頻范圍，且周期性變化的電流經(jīng)過電感線圈而產(chǎn)生交變磁場，使得該電感線圈在交變磁場作用下像“喇叭”一樣在幾乎固定的頻率上產(chǎn)生機械振動而發(fā)出嘯叫。
2019-09-02
開關(guān)電源 嘯叫
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以實例分析FPGA電源設(shè)計的特性及規(guī)范約束
作為一種復(fù)雜的集成電路，F(xiàn)PGA系統(tǒng)供電的電源的設(shè)計與一般的電子系統(tǒng)相比，要求也更高，需要具備高精度、高密度、可控性、高效及小型化等的特點。本文系統(tǒng)介紹了FPGA電源的不同特性，同時會通過實例，讓工程師更深入地了解各特性的意義，以及FPGA規(guī)范約束及其對電源設(shè)計的影響，以便快速完成FPGA系...
2019-08-30
FPGA 電源設(shè)計
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關(guān)于“陶瓷電容”的秘密！
1900年意大利L.隆巴迪發(fā)明陶瓷介質(zhì)電容器。30年代末人們發(fā)現(xiàn)在陶瓷中添加鈦酸鹽可使介電常數(shù)成倍增長,因而制造出較便宜的瓷介質(zhì)電容器。
2019-08-29
陶瓷電容 分類
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收藏！5V轉(zhuǎn)3.3V電平的19種方法技巧
標(biāo)準(zhǔn)三端線性穩(wěn)壓器的壓差通常是 2.0-3.0V。要把 5V 可靠地轉(zhuǎn)換為 3.3V，就不能使用它們。壓差為幾百個毫伏的低壓降 （Low Dropout， LDO）穩(wěn)壓器，是此類應(yīng)用的理想選擇。圖 1-1 是基本LDO 系統(tǒng)的框圖，標(biāo)注了相應(yīng)的電流。從圖中可以看出， LDO 由四個主要部分組成：
2019-08-29
LDO穩(wěn)壓器 齊納二極管
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利用三極管設(shè)計開關(guān)電路
很多工程師在上學(xué)時被老師講的三極管的各種電路接法，和小信號模型分析給繞暈了。而且大學(xué)的課本大多數(shù)都是在講三極管的放大特性。其實在實際的電路設(shè)計中，三極管的很多應(yīng)用場景只是利用三級管的開關(guān)特性，我們往往是運用三極管來實現(xiàn)開關(guān)電路，做一些電平轉(zhuǎn)換的功能。
2019-08-28
三極管 設(shè)計 開關(guān)電路
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光耦傳輸比對開關(guān)電源的影響
光耦的技術(shù)參數(shù)主要有發(fā)光二極管正向壓降VF、正向電流IF、電流傳輸比CTR、輸入級與輸出級之間的絕緣電阻、集電極-發(fā)射極反向擊穿電壓V（BR）CEO、集電極-發(fā)射極飽和壓降VCE（sat）。此外，在傳輸數(shù)字信號時還需考慮上升時間、下降時間、延遲時間和存儲時間等參數(shù)。
2019-08-28
光耦傳輸比 開關(guān)電源
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德州儀器：DC DC 轉(zhuǎn)換器 EMI 的工程師指南（二）——噪聲傳播和濾波
高開關(guān)頻率是在電源轉(zhuǎn)換技術(shù)發(fā)展過程中促進(jìn)尺寸減小的主要因素。為了符合相關(guān)法規(guī)，通常需要采用電磁干擾 (EMI) 濾波器，而該濾波器通常在系統(tǒng)總體尺寸和體積中占據(jù)很大一部分，因此了解高頻轉(zhuǎn)換器的 EMI 特性至關(guān)重要。
2019-08-28
DC/DC轉(zhuǎn)換器 EMI 噪聲傳播 濾波
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使用電源濾波器的幾個常見錯誤匯總
在實驗測試過程中，設(shè)計工程師常遇到這樣的情況：雖然在設(shè)備電源線上接了電源濾波器，但是該設(shè)備還是不能通過“傳導(dǎo)騷擾電壓發(fā)射”測試，工程師懷疑濾波器的濾波效果不好，不斷更換濾波器，仍不能得到理想的效果。
2019-08-27
電源濾波器
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