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貿澤電子與Analog Devices和Bourns聯(lián)手發(fā)布全新電子書
貿澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Analog Devices, Inc. (ADI) 和Bourns合作推出全新電子書，探討氮化鎵 (GaN) 在效率、性能和可持續(xù)性方面的優(yōu)勢，以及發(fā)揮這些優(yōu)勢所面臨的挑戰(zhàn)。
2024-12-03
貿澤電子 Analog Devices Bourns 電子書
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英飛凌AURIX TC3x新增支持FreeRTOS
全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）的AURIX? TC3x微控制器（MCU）系列新增了對FreeRTOS的支持。
2024-12-03
英飛凌
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借助支持邊緣 AI 的 MCU 優(yōu)化實時控制系統(tǒng)中的系統(tǒng)故障檢測
本文中將討論集成式微控制器 (MCU) 如何增強高壓實時控制系統(tǒng)中的故障檢測功能。此類 MCU 使用集成神經(jīng)網(wǎng)絡處理單元 (NPU) 運行卷積神經(jīng)網(wǎng)絡 (CNN) 模型，幫助在監(jiān)測系統(tǒng)故障時降低延遲和功耗。通過將邊緣 AI 功能集成到用于管理實時控制的同一 MCU 中，可以幫助您優(yōu)化系統(tǒng)設計，同時增強整體性能。
2024-12-02
邊緣 AI MCU 實時控制系統(tǒng)
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第10講：SiC的加工工藝（2）柵極絕緣層
SiC可以通過與Si類似的熱氧化過程，在晶圓表面形成優(yōu)質的SiO2絕緣膜。這在制造SiC器件方面具有非常大的優(yōu)勢。在平面柵SiC MOSFET中，這種熱氧化形成的SiO2通常被用作柵極絕緣膜，并已實現(xiàn)產(chǎn)品化。然而，SiC的熱氧化與Si的熱氧化存在一些差異，在將熱氧化工藝應用于SiC器件時必須考慮到這一點。
2024-12-02
SiC 柵極絕緣層
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貿澤推出RISC-V技術資源中心 探索開源的未來
貿澤電子推出內容豐富的RISC-V資源中心，為設計工程師提供新技術和新應用的相關知識。隨著開源架構日益普及，RISC-V從眾多選項中脫穎而出，成為開發(fā)未來先進軟硬件的新途徑。從智能手機和IoT設備，再到高性能計算，RISC-V正在各行各業(yè)中發(fā)展成為更主流的指令集架構 (ISA)。
2024-12-02
貿澤 RISC-V技術
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迎機遇、創(chuàng)發(fā)展，廣州國際汽車電子&功率半導體技術盛會，邀您共精彩！
3.1.jpg 2025年11月20-22日，第十二屆廣州國際汽車電子技術展覽會，將于廣州保利世貿博覽館盛大舉辦！
2024-11-29
AUTO TECH China
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英飛凌推出集成I2t線路保護功能的PROFET Wire Guard，通過eFuses實現(xiàn)可靠配電
現(xiàn)代分散式分區(qū)配電架構需要可靠的解決方案。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）通過 PROFET? Wire Guard為開發(fā)人員提供先進的現(xiàn)代配電線路保護。
2024-11-29
英飛凌
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意法半導體比較器具有故障安全和啟動時間保障，提高可靠性，節(jié)省電能
意法半導體的TS3121和TS3121A軌對軌、開漏、單通道比較器具有創(chuàng)新的故障安全架構和啟動時間保障，可以簡化短時間啟動過程，在低功率應用中最大限度地降低功耗。
2024-11-28
意法半導體 比較器
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貿澤電子深入探討以人為本的工業(yè)5.0新變革
貿澤電子 (Mouser Electronics) 發(fā)布新一期Empowering Innovation Together (EIT) 技術系列，重點介紹新興的工業(yè)5.0格局。在這個工業(yè)化的新階段，人類、環(huán)境和社會等因素都將作為重要的方面，體現(xiàn)在未來工廠車間的先進技術、機器人和智能機器中。
2024-11-28
貿澤電子 工業(yè)5.0
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