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CMOS圖像傳感器的3D堆疊技術(shù)
為了加速影像數(shù)據(jù)處理， 業(yè)界研發(fā)了在互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)影像傳感器中配備嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)，推出了配備DRAM的三層堆疊式CMOS影像傳感器，SONY是最早發(fā)布這一產(chǎn)品的廠家，這款型號(hào)為IMX400的三層堆疊式感光元件(Exmor RS)是專為智能手機(jī)而打造的。
2018-06-26
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是時(shí)候?qū)ふ业统杀?span id="gjamehy" class='red'>DRAM替代方案了
2017年是DRAM需求強(qiáng)勁成長(zhǎng)的一年。過(guò)去三年來(lái)，平面DRAM微縮已經(jīng)大幅減緩了。DRAM正轉(zhuǎn)變?yōu)橘u方市場(chǎng)，并為廠商創(chuàng)造了新的利潤(rùn)記錄。就像石油危機(jī)一樣，在DRAM危機(jī)下，客戶必須為DRAM付出了更多代價(jià)。因此，現(xiàn)在是時(shí)候?qū)ふ业统杀咎娲桨噶恕?/p>
2018-01-10
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讓超頻性能倍增的新型DRAM存取技術(shù)
毫無(wú)疑問(wèn)，微處理器的頻率可以通過(guò)許多方式大幅增加，但卻受限于主存儲(chǔ)器的性能而必須降低其頻率來(lái)維持計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的穩(wěn)定性。本文作者通過(guò)對(duì)靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(SRAM)單元縮減布局面積的研究，提出一種新的存取技術(shù)，可望提升動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)單元的訪問(wèn)速度。
2018-01-04
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DRAM技術(shù)的極限在哪里？
過(guò)去二十年來(lái)，基于 DRAM 的計(jì)算機(jī)內(nèi)存的存取帶寬已經(jīng)提升了 20 倍，容量增長(zhǎng)了 128 倍。但延遲表現(xiàn)僅有 1.3 倍的提升，卡內(nèi)基梅隆大學(xué)的研究者 Kevin Chang 如是說(shuō)，他提出了一種用于解決該問(wèn)題的新型數(shù)據(jù)通路…
2017-12-20
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淺談ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的區(qū)別
ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，ROM是Read Only Memory的縮寫(xiě)，RAM是Random Access Memory的縮寫(xiě)。ROM在系統(tǒng)停止供電的時(shí)候仍然可以保持?jǐn)?shù)據(jù)，而RAM通常都是在掉電之后就丟失數(shù)據(jù)，典型的RAM就是計(jì)算機(jī)的內(nèi)存。
2017-07-26
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如何降低DDR4系統(tǒng)功耗？PSOD輸出藏貓膩
DDR4是JEDEC組織關(guān)于DRAM器件的下一代標(biāo)準(zhǔn)。DDR4主要是針對(duì)需要高帶寬低功耗的場(chǎng)合。這些需求導(dǎo)致了DDR4芯片引入了一些新的特點(diǎn)，這些新的特點(diǎn)，導(dǎo)致在系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，引入一些新的設(shè)計(jì)需求。
2017-03-24
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DRAM與NAND差別這么大，存儲(chǔ)之爭(zhēng)在爭(zhēng)什么？
DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新，存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。
2017-03-22
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專家支招：克服內(nèi)存尺寸縮小中的電阻挑戰(zhàn)
隨著內(nèi)存尺寸的不斷縮小，歐姆接觸區(qū)的面積在每一個(gè)技術(shù)節(jié)點(diǎn)都縮小70%左右，而其深寬比則不斷增加，為了達(dá)到歐姆接觸，沉積出低電阻率的硅化鈷尤為重要。本文介紹兩個(gè)DRAM尺寸縮小的全新解決方案。
2016-10-25
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DDR1、DDR2、DDR3、DDR4、SDAM內(nèi)存各有千秋，哪里不同？
在嵌入式系統(tǒng)中有各種不同種類的內(nèi)存，它們?cè)谙到y(tǒng)中發(fā)揮著不可或缺的作用。但是不同種類的內(nèi)存發(fā)揮的作用也不同。本文主要講述的是DDR4,DDR3,DDR2,DDR1及SDRAM等內(nèi)存之間的相同點(diǎn)和不同點(diǎn)，及其在嵌入式系統(tǒng)中發(fā)揮的作用。
2015-09-02
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專家分享：DDR3多端口讀寫(xiě)存儲(chǔ)系統(tǒng)用FPGA如何設(shè)計(jì)？
由于FPGA具有強(qiáng)大邏輯資源、豐富IP核等優(yōu)點(diǎn)，基于FPGA的嵌入式系統(tǒng)架構(gòu)是機(jī)載視頻圖形顯示系統(tǒng)理想的架構(gòu)選擇。本文以Kintex-7系列XC7K410T FPGA芯片和兩片MT41J128M16 DDR3 SDRAM芯片為硬件平臺(tái)，設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了基于FPGA的視頻圖形顯示系統(tǒng)的DDR3多端口存儲(chǔ)管理。
2015-03-16
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電路技術(shù)詳解：SDRAM電路設(shè)計(jì)
什么是SDRAM，SDRAM電路的設(shè)計(jì)原理是什么？在了解SDRAM電路設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)先從哪里開(kāi)始入手呢？本文將從這幾個(gè)方面詳細(xì)深度的為大家講解SDRAM電路設(shè)計(jì)。
2015-03-07
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EMC總工手把手教你選磁珠
磁珠專用于抑制信號(hào)線、電源線上的高頻噪聲和尖峰干擾，還具有吸收靜電脈沖的能力。在用來(lái)吸收超高頻信號(hào)，像一些RF電路，PLL，振蕩電路，含超高頻存儲(chǔ)器電路如DDR、SDRAM、RAMBUS等中都需要在電源輸入部分加磁珠。那么我們應(yīng)該如何選擇合適的磁珠呢？請(qǐng)耐心往下看。
2015-02-05
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