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可減少總功耗和元件數(shù)目的DOCIS 3.0兼容型RF DAC
ADI公司最近發(fā)布了兩款RF（射頻）DAC AD9129和AD9119，可通過單個DAC端口合成整個下游（發(fā)射）電纜頻譜。單通道14位AD9129和11位AD9119 RF DAC支持高達2.8 GSPS的數(shù)據(jù)速率，允許有線電視運營商減少CATV (CMTS)基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)備的總系統(tǒng)功耗和元器件數(shù)目，從而簡化系統(tǒng)設(shè)計并降低總物料成本
2012-10-29
RF DAC ADI DOCIS 3.0
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比傳統(tǒng)元件尺寸小數(shù)千倍的光漩渦器件芯片問世
由英國、中國等四所大學(xué)研究團隊聯(lián)合課題組新發(fā)明的光漩渦器件芯片只有幾微米大，比傳統(tǒng)的元件尺寸小數(shù)千倍，并且能夠大規(guī)模、低成本制作，將被廣泛應(yīng)用于通信、傳感和微粒操控等領(lǐng)域。
2012-10-25
光漩渦器件 發(fā)射器件 光束
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HiFi功率放大器設(shè)計BOM
這個簡單的低成功率放大器。可以5種方法完成，就像圖表中所指示的（從20W到80W RMS ）。首先要作的是測試末極功率管的放大系數(shù)hfe or β.如果差異大于30％，放大器將不會提供一個清晰的聲音，使用MJ3001和 MJ2501晶體管，他們的差異在5％。
2012-10-24
HiFi 功率放大器 BOM
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封裝面積減小4成，支持LTE的RF模塊
村田制作所開發(fā)出用于LTE智能手機的小型RF收發(fā)模塊，封裝面積減小4成，其采用該公司的元件內(nèi)置技術(shù)，使用樹脂基板而非陶瓷基板實現(xiàn)了模塊，該模塊集成了LTE收發(fā)信息所需要的RF收發(fā)器IC、功率放大器及前端模塊等，RF電路部分的定位是“全模塊”。
2012-10-24
LTE RF模塊 村田
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可支持15種頻帶的FBAR濾波器
安華高此前的FBAR濾波器支持5種頻帶，但世界各地的LTE服務(wù)使用了多種頻帶，因此此次擴大了支持的頻帶數(shù)量。此次增加了對700MHz頻帶、900MHz頻帶及2.6GHz頻帶等15種頻帶的支持。安華高表示，這一舉措使該公司的FBAR濾波器得到了大量智能手機的采用。
2012-10-24
FBAR 濾波器 安華高
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從直流到18 GHz氮化鎵產(chǎn)品選擇
全球市場對氮化鎵技術(shù)的需求還在不斷增長，TriQuint與Richardson RFPD合作提供的TriQuint 氮化鎵產(chǎn)品包括放大器、晶體管和開關(guān)，可提高射頻效率、降低總成本和增強系統(tǒng)堅固性。提供世界級、從直流到18 GHz的氮化鎵產(chǎn)品創(chuàng)新，包括分立晶體管、MMIC及封裝式解決方案。
2012-10-24
氮化鎵 放大器 晶體管
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完美結(jié)合耐用性、頻率范圍與寬帶能力射頻功率晶體管
為了滿足市場對射頻功率器件增強耐用性和在廣泛的頻率范圍進行寬帶運行的需求，飛思卡爾半導(dǎo)體公司推出了兩款功能豐富的器件，旨在為采用LDMOS處理技術(shù)制造的射頻功率產(chǎn)品提供新級別的線性和耐用性。
2012-10-23
射頻 飛思卡爾 晶體管
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可支持300MHz到2.8GHz的頻段的LTE收發(fā)器
隨著無線寬頻的需求日漸擴大，全球電信服務(wù)業(yè)者也加速將第四代的LTE高速無線通訊標準導(dǎo)入手機與數(shù)據(jù)卡終端設(shè)備。Aviacomm發(fā)表最新LTE智能型射頻收發(fā)器，可支持300MHz到2.8GHz的頻段，不僅在功能上取代多芯片的集成方案，在系統(tǒng)設(shè)計上，也簡化工程開發(fā)時間。
2012-10-23
LTE 收發(fā)器 無線寬頻
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集成5GHz JESD204B串行接口的8通道超聲接收器
ADI的AD9671 8通道超聲接收器集成5Gb數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換接口，支持更高的數(shù)據(jù)速率和通道數(shù)，可用于手推式和便攜式超聲設(shè)備。通過集成該5Gb JESD204B接口，ADI的全新AD9671 8通道接收器與其它數(shù)據(jù)接口標準相比，可減少多達80%的超聲系統(tǒng)I/O數(shù)據(jù)路由。
2012-10-18
便攜醫(yī)療 接收器
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