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索尼開發(fā)出轉(zhuǎn)換效率為9.9％的色素增感型太陽能電池
索尼2010年11月宣布，開發(fā)出了模塊面積為4cm×5cm（開口部面積為17.11cm2）、轉(zhuǎn)換效率為9.9％的色素增感型太陽能電池（DSC）。 2008年3月單個模塊的轉(zhuǎn)換效率為7.5％，2009年4月為8.4％，2010年5月為9.5％，此次為10％。此前曾有報告稱，如果色素增感型太陽能電池為面積不到數(shù)mm見方的“小單元”，可達...
2010-12-22
索尼 轉(zhuǎn)換效率 色素 增感型 太陽能電池
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開關(guān)電源的可靠性設(shè)計方案
本文對影響開關(guān)電源可靠性的幾個方面作出較為詳細的分析比較，從工程實際出發(fā)提出提高開關(guān)電源可靠性的方案。
2010-12-22
開關(guān)電源 可靠性 電磁兼容
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并網(wǎng)發(fā)電光伏逆變器的設(shè)計
本文采用16位微處理器和高速IGBT功率模塊實現(xiàn)了中、小容量光伏電站的并網(wǎng)發(fā)電,描述了光伏發(fā)電的并網(wǎng)運行逆變器，不僅具有較高的效率和畸變小的輸出電流波形，而且在電網(wǎng)斷電的情況下能單獨運行，具有一定的推廣應(yīng)用前景...
2010-12-22
并網(wǎng)發(fā)電 光伏逆變器 IGBT
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Z-Rec?650V：Cree推出碳化硅肖特基二極管滿足數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)要求
碳化硅功率器件領(lǐng)域的市場領(lǐng)先者 Cree 公司日前宣布推出最新Z-Rec?650V 結(jié)型肖特基勢壘 (JBS) 二極管系列，以滿足最新數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)要求。新型 JBS 二極管的阻斷電壓為 650V，能夠滿足近期數(shù)據(jù)中心電源架構(gòu)修改的要求。據(jù)行業(yè)咨詢專家估算，這樣可以將能效提高多達 5% 。由于數(shù)據(jù)中心的耗電量幾...
2010-12-21
Z-Rec?650V Cree 碳化硅 肖特基二極管
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平面變壓器的技術(shù)分析
高功率密度是當今開關(guān)電源發(fā)展的主要趨勢，要做到這一點，必須提高磁元件的功率密度平面變壓器因為特殊的平面結(jié)構(gòu)和繞組的緊密耦合，使得高頻寄生參數(shù)大大降低，極大地改進了開關(guān)電源的工作狀態(tài)，因此近年來得到了廣泛的使用研究了幾種不同的平面結(jié)構(gòu)和繞組制作的方式,介紹了設(shè)計平面變壓器的一個標...
2010-12-21
平面變壓器 磁性儲存 功率密度
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開關(guān)電源五種PWM反饋控制模式
PWM開關(guān)穩(wěn)壓或穩(wěn)流電源基本工作原理就是在輸入電壓變化、內(nèi)部參數(shù)變化、外接負載變化的情況下，控制電路通過被控制信號與基準信號的差值進行閉環(huán)反饋，調(diào)節(jié)主電路開關(guān)器件的導通脈沖寬度，使得開關(guān)電源的輸出電壓或電流等被控制信號穩(wěn)定。本文講述開關(guān)電源PWM的五種反饋控制模式的優(yōu)缺點的對比
2010-12-20
開關(guān)電源 PWM 反饋控制
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2011年電池產(chǎn)業(yè)將朝向兩極化發(fā)展
根據(jù)集邦科技旗下研究機構(gòu) EnergyTrend 的預測，展望 2011年，全球消費性產(chǎn)品的發(fā)展仍將出現(xiàn)新舊對立的情形，對于電池產(chǎn)業(yè)來說，將出現(xiàn)兩極化的發(fā)展，以及市場的新變革...
2010-12-20
電池 電池產(chǎn)業(yè) 高分子電池
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RDK-251：PI推出5 W離線式LED驅(qū)動器電源設(shè)計適合A19 LED燈
用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導者Power Integrations公司近日發(fā)布一份新的5 W離線式LED驅(qū)動器參考設(shè)計(RDK-251)，該電源具備無閃爍可控硅調(diào)光和單級功率因數(shù)校正(PFC)。該參考設(shè)計基于Power Integrations創(chuàng)新性的LinkSwitch-PL系列LED驅(qū)動器IC - LNK457DG，可實現(xiàn)緊湊型非隔離式電源。
2010-12-17
RDK-251 LNK457DG A19 LED燈
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IR推出30V DirectFET MOSFET適合19V輸入同步降壓應(yīng)用
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出了IRF6708S2和IRF6728M 30V DirectFET MOSFET芯片組，特別為注重成本的19V輸入同步降壓應(yīng)用 (如筆記本電腦) 而設(shè)計。
2010-12-17
IRF6708S2 IRF6728M IR 30V DirectFET MOSFET
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