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BUCK-BOOST 拓?fù)潆娫丛砑肮ぷ鬟^程解析
在非隔離電源方案中，基礎(chǔ)拓?fù)涞腂uck、Boost、Buck-Boost電路中，前兩種已經(jīng)在前面章節(jié)進(jìn)行了詳細(xì)描述。很多工程師對(duì)Buck和Boost電路都特別熟悉，只是對(duì)Buck-Boost不熟悉。
2023-05-06
BUCK-BOOST 拓?fù)潆娫?/p>
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如何快速調(diào)試英飛凌LED驅(qū)動(dòng)芯片LITIX TLD6098-X系列的設(shè)計(jì)
TLD6098-2ES是寬電壓輸入雙通道多拓?fù)銬C/DC控制器，兩個(gè)通道上的電流或者電壓可以通過不同的拓?fù)鋵?shí)現(xiàn)閉環(huán)控制，作為一級(jí)恒壓源或者恒流源。目前TLD6098可以支持的拓?fù)溆校簩?duì)地升壓、SEPIC、反激、對(duì)電池升壓、降壓。
2023-05-06
英飛凌 LED驅(qū)動(dòng)芯片 TLD6098-X
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矽力杰車載BMS方案
發(fā)展新能源汽車是我國從汽車大國邁向汽車強(qiáng)國的必由之路，是應(yīng)對(duì)氣候變化、推動(dòng)綠色發(fā)展的戰(zhàn)略舉措。電動(dòng)汽車作為傳統(tǒng)汽車、能源、信息通信等領(lǐng)域有關(guān)技術(shù)相互融合的新一代交通出行工具，目前正越來越受到市場(chǎng)的關(guān)注與消費(fèi)者的歡迎。
2023-05-06
矽力杰 車載BMS 方案
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揭秘碳化硅芯片的設(shè)計(jì)和制造
眾所周知，對(duì)于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來說，高質(zhì)量的襯底可以從外部購買得到，高質(zhì)量的外延片也可以從外部購買到，可是這只是具備了獲得一個(gè)碳化硅器件的良好基礎(chǔ)，高性能的碳化硅器件對(duì)于器件的設(shè)計(jì)和制造工藝有著極高的要求，接下來我們來看看安森美(onsemi)在SiC MOSFET器件設(shè)計(jì)和制造上都獲...
2023-05-06
碳化硅 芯片設(shè)計(jì) 安森美
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將無線充電提升到新水平
傳統(tǒng)的無線充電技術(shù)，包括基于 Qi 標(biāo)準(zhǔn)的技術(shù)，由于效率低下且只能在較低功率水平下運(yùn)行，因此實(shí)際上僅適用于智能手機(jī)、可穿戴設(shè)備、醫(yī)療植入物和物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品等小型設(shè)備。它們的低效率意味著它們?cè)谔寂欧欧矫鎸?duì)環(huán)境不友好，而且它們產(chǎn)生的熱量會(huì)減慢充電速度，因此必須進(jìn)行散熱。
2023-05-05
無線充電 可穿戴設(shè)備
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使用電池溫度監(jiān)控構(gòu)建更好的電池供電應(yīng)用
使用可充電電池運(yùn)行的現(xiàn)代產(chǎn)品應(yīng)用程序通常具有內(nèi)置傳感器和電池管理系統(tǒng) (BMS) 電路。BMS 監(jiān)控可充電電池系統(tǒng)的電壓、電流和溫度，無論是單個(gè)電池、模塊（一組電池）還是電池組（一組模塊）。監(jiān)測(cè)電池的電壓和電流通常不足以確定電池的健康狀況。
2023-05-05
電池溫度監(jiān)控 電池供電應(yīng)用
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如何滿足各種環(huán)境下汽車USB充電端口要求？
USB充電端口已成為現(xiàn)代車輛信息娛樂系統(tǒng)的重要組成部分。乘客越來越習(xí)慣于通過車輛的電氣系統(tǒng)來為智能手機(jī)（或其他便攜式設(shè)備）充電，并反過來利用這些設(shè)備來豐富車輛信息和娛樂功能。為了同時(shí)支持電源和數(shù)據(jù)能力，并且適應(yīng)不斷快速變化的便攜式設(shè)備市場(chǎng)，USB充電端口必須滿足與電源、數(shù)據(jù)傳輸和魯...
2023-05-05
汽車 USB充電
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電動(dòng)汽車充電器輔助電源的注意事項(xiàng)
隨著電動(dòng)汽車的普及，電動(dòng)汽車充電器開始無處不在，以至于現(xiàn)在立法規(guī)定新的住宅和工業(yè)建筑都要設(shè)有充電點(diǎn)。雖然主電源轉(zhuǎn)換技術(shù)是一個(gè)創(chuàng)新不斷的領(lǐng)域，但也需要低功率輔助 AC/DC 和 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。本文將討論這些低功率輔助轉(zhuǎn)換器需要滿足的規(guī)格。
2023-05-04
電動(dòng)汽車 充電器 輔助電源
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1200V IGBT7和Emcon7可控性更佳，助力提升變頻器系統(tǒng)性能（上）
本文介紹了針對(duì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)進(jìn)行優(yōu)化的全新1200 V IGBT和二極管技術(shù)。該IGBT結(jié)構(gòu)基于全新微溝槽技術(shù)，與標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)相比，可大幅減少靜態(tài)損耗，并具備高可控性。而二極管因?yàn)閮?yōu)化了場(chǎng)截止設(shè)計(jì)，其振蕩發(fā)生的可能性大幅降低。在功率模塊中，IGBT和二極管的出色性能可帶來更高的電流密度和更大的輸出電流。不...
2023-05-04
IGBT7 Emcon7 變頻器
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