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HOMSEMI MOSFET基于100KHz逆變焊機(jī)的應(yīng)用評(píng)測(cè)
早期的逆變焊機(jī)中功率開(kāi)關(guān)器件采用晶閘管，逆變頻率為2--3KHz，變壓器鐵心采用硅鋼片，重量較大。本逆變焊機(jī)采用成啟半導(dǎo)體大功率MOSFET HS20N50，逆變頻率在100KHz以上，可以對(duì)熔滴過(guò)渡實(shí)現(xiàn)精細(xì)控制。
2012-05-23
逆變焊機(jī) 成啟半導(dǎo)體 MOSFET HS20N50 HOMSEMI
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Linear 2.5A、42V降壓同步DC/DC轉(zhuǎn)換器以2.5μA 靜態(tài)電流提供 96% 效率
凌力爾特新推出42V、2.5A (IOUT)、2.2MHz 降壓型同步 DC/DC 轉(zhuǎn)換器LT8610 ，提供 高達(dá)96% 效率并僅消耗 2.5μA 靜態(tài)電流，其突發(fā)模式工作提供超低靜態(tài)電流，非常適用于汽車(chē)的“始終保持接通”系統(tǒng)等應(yīng)用。
2012-05-23
凌力爾特 LT8610 Linear
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圖文詳說(shuō)智能手機(jī)音頻放大器電路設(shè)計(jì)
由于智能手機(jī)存在多種音頻輸入源等原因造成的特殊音頻要求，智能手機(jī)的音頻輸出應(yīng)用需要低EMI、低失真、高電源抑制比及高能效的音頻放大方案。本文圖文解說(shuō)智能手機(jī)的揚(yáng)聲器放大器及耳機(jī)放大器的音頻放大解決方案。
2012-05-23
智能手機(jī) 音頻放大器電路設(shè)計(jì) 音頻放大器
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石墨烯電池快充讓電動(dòng)車(chē)不到1分鐘充滿電
一種看起來(lái)怎么也和電池搭不上界的物質(zhì)，成了突破電池技術(shù)瓶頸的關(guān)鍵。Nanotek公司利用鋰離子可在石墨烯表面和電極之間快速大量穿梭運(yùn)動(dòng)的特性，開(kāi)發(fā)出石墨烯表面鋰離子交換電池，它集中了鋰電池和超級(jí)電容的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)兼具高功率密度和高能量?jī)?chǔ)存密度的特性。可以將充電時(shí)間從過(guò)去的數(shù)小時(shí)之久縮短...
2012-05-23
石墨烯電池 電動(dòng)車(chē) EV
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IR針對(duì)EV|HEV推出600V超高速開(kāi)關(guān)、耐用高頻IGBT
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR)推出高度創(chuàng)新的600V車(chē)用IGBT平臺(tái)COOLiRIGBT，它能夠以和MOSFET一樣快的開(kāi)關(guān)速度運(yùn)行，同時(shí)在高電平下還提供更高的效率。COOLiRIGBT適合電動(dòng)車(chē) (EV) 和混合動(dòng)力車(chē) (HEV) 中的各種高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用，包括車(chē)載直流-直流轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電池充電器等。
2012-05-23
IR EV HEV IGBT COOLiRIGBT
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BM6103FV-C:羅姆推出業(yè)內(nèi)最小車(chē)載用內(nèi)置絕緣元件的柵極驅(qū)動(dòng)器
日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會(huì)社（總部位于日本京都市）開(kāi)發(fā)出內(nèi)置絕緣元件的柵極驅(qū)動(dòng)器“BM6103FV-C”，最適合作為電動(dòng)汽車(chē)（EV）和混合動(dòng)力車(chē)（HEV）逆變回路中IGBT以及功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)元件。
2012-05-22
羅姆 BM6103FV-C 柵極驅(qū)動(dòng)器
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Green Star Green World 中電華星
— 致力于為新能源客戶提供最具競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試系統(tǒng)解決方案長(zhǎng)期以來(lái)，中電華星一直致力于為電源客戶提供最具競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試系統(tǒng)解決方案。在與電力電子及相關(guān)行業(yè)長(zhǎng)期合作中，針對(duì)新能源行業(yè)深入調(diào)查和研究，現(xiàn)將各類(lèi)新能源產(chǎn)品測(cè)試方案提供給大家，給力新能源產(chǎn)業(yè)，共建綠地球。
2012-05-22
中電華星 新能源 測(cè)試系統(tǒng)
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Microsemi新款1200V非穿通型IGBT開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通損耗降低20%
美高森美 (Microsemi) 推出新一代1200V非穿通型IGBT系列中的首款產(chǎn)品。新的IGBT系列采用尖端Power MOS 8技術(shù)，與競(jìng)爭(zhēng)解決方案相比，總體開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通損耗顯著降低20%或更多。這些IGBT器件瞄準(zhǔn)電焊機(jī)、太陽(yáng)能逆變器和不間斷與開(kāi)關(guān)電源等應(yīng)用。
2012-05-21
IGBT Power MOS 8 Microsemi
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不用稀土，日立開(kāi)發(fā)出效率達(dá)93%的工業(yè)馬達(dá)
日立制作所和日立產(chǎn)機(jī)系統(tǒng)開(kāi)發(fā)出了效率提高到了約93％的永久磁鐵式同步馬達(dá)，其中未使用含釹（Nd）及鏑（Dy）等稀土元素的釹（Nd-Fe-B）磁鐵。該馬達(dá)的輸出功率為11kW。日立制作所日立研究所馬達(dá)系統(tǒng)研究部MS3部門(mén)負(fù)責(zé)人榎本裕治表示：“可用來(lái)配備在（鼓風(fēng)機(jī)及流體泵等）需求較大的工業(yè)設(shè)備上。”
2012-05-21
日立 工業(yè)馬達(dá) 稀土
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