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比3D更高級(jí)？“4維”晶體管誕生
一種外形如同一顆圣誕樹一樣的被稱為“4維”晶體管研制成功，隨著該新品的誕生，速度更快、更緊湊和更高效的集成電路以及更輕、產(chǎn)生更少熱量的筆記本電腦也呼之欲出。
2012-12-26
晶體管 砷化銦鎵 4維晶體管
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GaN耐壓600V產(chǎn)品亮相，SiC功率元件開發(fā)加快
進(jìn)入2012年后，SiC功率元件的開發(fā)也在加快，最先行動(dòng)的是羅姆，，科銳及三菱電機(jī)則緊跟其后。GaN功率元件在2012年也有長(zhǎng)足進(jìn)步，已有耐壓600V的GaN功率晶體管產(chǎn)品亮相，2013年相關(guān)行動(dòng)將更為活躍。
2012-12-26
GaN SiC 功率元件
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五大主流線性穩(wěn)壓器如何選擇？
目前使用的五大主流線性穩(wěn)壓器每個(gè)都具有不同的旁路元件和獨(dú)特性能，電壓差和接地電流值定了后就可確定穩(wěn)壓器適用的設(shè)備類型，而電壓差和接地電流值主要由線性穩(wěn)壓器的旁路元件（pass element）確定，所以這五大主流線性穩(wěn)壓器分別適合不同的設(shè)備使用。
2012-12-26
線性穩(wěn)壓器 PNP 晶體管
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呼吸式功率管理，減低損耗很有效
由于通信電源和UPS初始容量設(shè)計(jì)時(shí)，同時(shí)考慮了最大負(fù)載、蓄電池充電容量和備份容量，導(dǎo)致了實(shí)際運(yùn)行負(fù)載往往處于輕載和超輕載狀態(tài)，這種狀態(tài)下，電源轉(zhuǎn)換設(shè)備的效率往往較低，因此增加了自身的損耗?！昂粑健惫β使芾硗ㄟ^(guò)跟蹤負(fù)載的變化，控制功率模塊的開通與休眠，使系統(tǒng)盡量在最佳效率點(diǎn)附近進(jìn)行...
2012-12-26
功率 損耗 UPS
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針對(duì)高溫汽車應(yīng)用的新款I(lǐng)HLP電感器
Vishay推出新款低外形、高電流電感器，器件的頻率范圍達(dá)到1MHz，可用作電壓調(diào)節(jié)模塊和DC/DC轉(zhuǎn)換器的解決方案，既高效，又節(jié)約空間和能源。新電感器可處理高瞬態(tài)電流尖峰而不會(huì)硬飽和。
2012-12-26
電感器 Vishay DC/DC
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節(jié)省電路板空間、功耗和成本的16位1.6 GSPS數(shù)模轉(zhuǎn)換器
ADI推出雙通道16位1.6 GSPS數(shù)模轉(zhuǎn)換器AD9142，具有片內(nèi)32位NCO，內(nèi)置集成插值濾波器，雙通道DAC數(shù)據(jù)接口支持字和字節(jié)加載，用戶可減少低數(shù)據(jù)速率時(shí)的輸入引腳，從而節(jié)省電路板空間、功耗和成本。
2012-12-26
ADI 數(shù)模轉(zhuǎn)換器DAC
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羅姆首款無(wú)需肖特基勢(shì)壘二極管的SiC-MOS模塊已開始量產(chǎn)
通常，為了實(shí)現(xiàn)大電流化，一般采用增加MOSFET使用數(shù)量等方法來(lái)實(shí)現(xiàn)，但這需要整流元件即二極管配套使用，因此長(zhǎng)期以來(lái)很難保持小型尺寸。羅姆近日成功開發(fā)出無(wú)需整流元件—二極管的SiC功率模塊，支持1200V/180A，大幅降低逆變器電力損耗，現(xiàn)已開始量產(chǎn)。
2012-12-26
羅姆 SiC－MOS模塊 功率半導(dǎo)體元件
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日置推出精度高達(dá)0.02%的小體積電阻計(jì)
電動(dòng)汽車馬達(dá)、變頻器以及太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)中的功率調(diào)節(jié)器較多的使用線圈和電感等電子零部件。如何需要測(cè)量直流電阻，日置面向環(huán)境、新能源領(lǐng)域推出了電阻計(jì)RM3544、RM3548，可進(jìn)行最高0.02%的高精度測(cè)量……
2012-12-26
功率調(diào)節(jié)器 變頻器 電阻計(jì) 電動(dòng)汽車
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穩(wěn)壓穩(wěn)流的多用途線性大功率直流電源
線性大功率直流穩(wěn)壓穩(wěn)流電源為單相或三相輸入、大功率直流輸出的高精度電源，可達(dá)400kW。線性大功率直流穩(wěn)壓穩(wěn)流電源可供電容器、繼電器、電阻器等元器件作老練、測(cè)試使用，也可作為熱敏電阻、電機(jī)等電子元件實(shí)驗(yàn)測(cè)試使用。
2012-12-21
穩(wěn)壓穩(wěn)流 線性大功率 直流電源
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