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危害鋰電池使用壽命的四大“誤區(qū)”
移動(dòng)電源為我們的生活帶來便捷，但日常使用和存放移動(dòng)電源的一些錯(cuò)誤操作卻會(huì)使其內(nèi)部的鋰電芯壽命提前終結(jié)。本文盤點(diǎn)了危害鋰電池使用壽命的幾種錯(cuò)誤操作，希望能幫助大家最大化的避免鋰電芯帶來的安全隱患，從而延長使用壽命。
2013-08-09
移動(dòng)電源 電池 鋰電池
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優(yōu)秀電路的設(shè)計(jì)保證：MOSFET結(jié)構(gòu)、特性、驅(qū)動(dòng)和應(yīng)用
在使用MOS管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)考慮MOS的最大電流、最大電壓、導(dǎo)通電阻等。如果僅僅考慮這些因素，這樣的電路也許可以工作，但并不是優(yōu)秀的，也不允許作為正式的產(chǎn)品設(shè)計(jì)。優(yōu)秀的工程師說：設(shè)計(jì)優(yōu)秀的電路還需要對(duì)MOSFET及MOSFET驅(qū)動(dòng)電路的基礎(chǔ)了解清楚。
2013-08-08
MOSFET MOSFET結(jié)構(gòu) MOSFET驅(qū)動(dòng) MOSFET應(yīng)用
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超級(jí)電容器案例剖析，將取代可充電電池？
由于能夠長時(shí)間存儲(chǔ)大量電能，超級(jí)電容表現(xiàn)得更像是電池而不是一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)電容。在本文的一些案例上，超級(jí)電容已經(jīng)可以代替給這些產(chǎn)品供電的電池。從計(jì)算機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、手機(jī)到其它手持設(shè)備，超級(jí)電容將一步步替代眾多產(chǎn)品中的可充電電池嗎？
2013-08-08
超級(jí)電容 超級(jí)電容器 超級(jí)電容特點(diǎn)
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解讀各種IGBT驅(qū)動(dòng)電路和IGBT保護(hù)方法
保證IGBT的可靠工作，驅(qū)動(dòng)電路起著至關(guān)重要的作用，本文討論IGBT驅(qū)動(dòng)電路和IGBT的保護(hù)，包括驅(qū)動(dòng)電路EXB841/840、M57959L/M57962L厚膜驅(qū)動(dòng)電路、2SD315A集成驅(qū)動(dòng)模塊、IGBT短路失效機(jī)理和IGBT過流保護(hù)方法。
2013-08-08
IGBT IGBT驅(qū)動(dòng)電路 IGBT保護(hù)
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DIY：微型太陽能供電板，可給手電筒收音機(jī)等供電
自制微型太陽能供電板，模擬現(xiàn)代化太陽能電源，同時(shí)也可以給手電筒收音機(jī)等小東西供電；接幾個(gè)白色高亮LED，就成為太陽能LED手電筒。包括太陽能供電板的原理及設(shè)計(jì)、元器件選擇、制作全過程哦！
2013-08-08
太陽能供電板DIY 太陽能 太陽能供電
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原創(chuàng)經(jīng)典：開關(guān)電源設(shè)計(jì)中MOSFET驅(qū)動(dòng)技術(shù)圖解
MOSFET作為功率開關(guān)管，已經(jīng)是開關(guān)電源領(lǐng)域的絕對(duì)主力器件。雖MOSFET作為電壓型驅(qū)動(dòng)器件，其驅(qū)動(dòng)表面上看來是非常簡單，但是詳細(xì)分析起來并不簡單。什么叫驅(qū)動(dòng)能力？驅(qū)動(dòng)的快慢對(duì)MOS的開關(guān)有什么影響？驅(qū)動(dòng)電阻到底選多大？如果開通和關(guān)斷的速度要分別調(diào)節(jié)，怎么辦？……解析MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)，這些問...
2013-08-07
開關(guān)電源 電源 MOSFET MOSFET驅(qū)動(dòng)
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電源設(shè)計(jì)技巧十例：如何精確預(yù)測(cè)剩余電池電量及運(yùn)行時(shí)間
對(duì)于電池供電的系統(tǒng)而言，最大的挑戰(zhàn)在于電池的運(yùn)行時(shí)間，而設(shè)計(jì)人員往往將注意力集中在提高DCDC電源轉(zhuǎn)換效率上，卻忽略與電源轉(zhuǎn)換效率和電池容量同等重要的電池電量監(jiān)測(cè)計(jì)的精確度問題。因此，本次電源設(shè)計(jì)技巧將帶來精確預(yù)測(cè)便攜式設(shè)備的剩余電池電量和運(yùn)行時(shí)間的設(shè)計(jì)方案。
2013-08-07
電源設(shè)計(jì) 電池 電池電量 電量
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IR推出適用于DC-DC同步降壓應(yīng)用的創(chuàng)新電源模塊組件
IR近日推出創(chuàng)新的IRFH4251D和IRFH4253D電源模塊組件，它采用IR的新一代硅技術(shù)和嶄新的5x6mm PQFN封裝，提供行業(yè)領(lǐng)先功率密度的新標(biāo)準(zhǔn)。該組件適用于DC-DC同步降壓應(yīng)用，包括先進(jìn)的電信和網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備、服務(wù)器、顯卡、臺(tái)式電腦、超極本和筆記本電腦等。
2013-08-06
IR DC-DC同步降壓 電源模塊
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Diodes推出業(yè)界最小雙極型晶體管
Diodes推出業(yè)界采用DFN0806-3微型封裝的最小雙極型晶體管，與同類型器件相比減少占位面積20%，加上400mW功耗，實(shí)現(xiàn)智能手機(jī)和平板電腦等受空間限制的更小巧便攜式產(chǎn)品設(shè)計(jì)。另外，Diodes還將推出在同樣封裝的預(yù)偏置 (數(shù)字) 晶體管。
2013-08-06
Diodes 極型晶體管 DFN0806-3
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