LDO穩(wěn)壓器綜合指南：噪聲、折衷方案、應(yīng)用和趨勢

本文介紹 LDO穩(wěn)壓器選型 時(shí)幾個(gè)不太注意的關(guān)鍵參數(shù)。還針對特殊低噪聲要求，將開關(guān)穩(wěn)壓器和LDO穩(wěn)壓器進(jìn)行了比較。此外還討論了行業(yè)趨勢，以及介紹需要高性能LDO穩(wěn)壓器的應(yīng)用。

2023-09-20

LDO穩(wěn)壓器  噪聲  趨勢

IGBT驅(qū)動芯片進(jìn)入可編程時(shí)代，英飛凌新品X3有何玄機(jī)？

俗話說，好馬配好鞍，好IGBT自然也要配備好的驅(qū)動IC。一顆好的驅(qū)動不僅要提供足夠的驅(qū)動功率，最好還要有完善的保護(hù)功能，例如退飽和保護(hù)、兩電平關(guān)斷、軟關(guān)斷、欠壓保護(hù)等，為IGBT的安全運(yùn)行保駕護(hù)航。

2023-09-19

IGBT驅(qū)動芯片  可編程  英飛凌

如何在有限空間里實(shí)現(xiàn)高性能？結(jié)合最低特定RDS(On)與表面貼裝技術(shù)是個(gè)好方法！

SiC FET在共源共柵結(jié)構(gòu)中結(jié)合硅基MOSFET和SiC JFET，帶來最新寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)的性能優(yōu)勢，以及成熟硅基功率器件的易用性。SiC FET現(xiàn)可采用表面貼裝TOLL封裝，由此增加了自動裝配的便利性，同時(shí)減少了元件尺寸，并達(dá)成出色的熱特性，在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)了功率密度最大化和系統(tǒng)成本最小化。

2023-09-18

高性能  RDS(On)  表面貼裝

如何更好的使用EiceDRIVER IC驅(qū)動SiC MOSFET

碳化硅（SiC MOSFET）和氮化鎵(GaN)因其高頻率、低損耗的特性得到廣泛的應(yīng)用，但對驅(qū)動系統(tǒng)的性能提出了更高的要求。英飛凌最新一代增強(qiáng)型EiceDRIVER? 1ED34X1系列可提供高的輸出電流、米勒鉗位保護(hù)、精準(zhǔn)的短路保護(hù)、可調(diào)的軟關(guān)斷等功能，為新一代的功率器件保駕護(hù)航。

2023-09-18

英飛凌  IC  SiC MOSFET

主流觸控面板技術(shù)分析與觸控方案介紹

近年來，觸控板的應(yīng)用可說是越來越廣泛，觸控式面板已經(jīng)是一個(gè)當(dāng)紅且快速成長的應(yīng)用及市場。

2023-09-15

800V高壓快充能否助力小米汽車彎道超車

如今的汽車市場可謂是一片火熱，除了傳統(tǒng)車企以外，造車新勢力的加入更是給汽車市場增加了不少活力，并且市場上已經(jīng)出現(xiàn)跨界造車的趨勢。

2023-09-15

貿(mào)澤和Bourns聯(lián)手推出新電子書，介紹無源元件在電子設(shè)計(jì)中日益重要的作用

2023年9月14日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 與Bourns, Inc.合作發(fā)布了一本新電子書，探討無源元件在可再生能源、混動汽車和電動汽車等新興電子應(yīng)用中的作用。

2023-09-15

貿(mào)澤  Bourns  無源元件

如何實(shí)現(xiàn)能夠同步控制兩個(gè)或更多步進(jìn)電機(jī)的遠(yuǎn)程主機(jī)系統(tǒng)？

工業(yè)4.0為遠(yuǎn)距離實(shí)現(xiàn)邊緣智能帶來了曙光，而10BASE-T1L以太網(wǎng)的數(shù)據(jù)線供電(PoDL)功能、高數(shù)據(jù)傳輸速率以及與以太網(wǎng)協(xié)議兼容也為未來發(fā)展鋪平了道路。本文介紹如何在自動化和工業(yè)場景中集成新的10BASE-T1L以太網(wǎng)物理層標(biāo)準(zhǔn)，將控制器和用戶界面與端點(diǎn)（例如多個(gè)傳感器和執(zhí)行器）連接起來，所有器件均...

2023-09-15

同步控制  步進(jìn)電機(jī)  遠(yuǎn)程主機(jī)系統(tǒng)

SiC功率半導(dǎo)體市場，如何才能成為頭部玩家？

在功率電子領(lǐng)域，要論如今炙手可熱的器件，SiC要說是第二，就沒有人敢說第一了。隨著原有的Si基功率半導(dǎo)體器件逐漸接近其物理極限，由第三代SiC功率器件接棒來沖刺更高的性能，已經(jīng)是大勢所趨。

2023-09-15

SiC  功率半導(dǎo)體  安森美