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新興汽車開(kāi)關(guān)應(yīng)用
自動(dòng)駕駛汽車人工智能的發(fā)展正逐漸改變?nèi)藗兊鸟{乘體驗(yàn)。全自動(dòng)駕駛車輛將為汽車駕駛艙帶來(lái)徹底的變革。實(shí)際上,我們已經(jīng)看到具備半自動(dòng)駕駛功能的汽車的出現(xiàn)。功能性和舒適性是推動(dòng)汽車內(nèi)部變化的主要因素??紤]到車輛內(nèi)的功能越來(lái)越多,對(duì)于聯(lián)系駕駛員和駕駛艙新環(huán)境之間的用戶界面,設(shè)計(jì)師和工程...
2021-09-08
汽車開(kāi)關(guān) 應(yīng)用
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貿(mào)澤聯(lián)手安森美推出全新資源平臺(tái),分享BLDC電機(jī)控制新品與技術(shù)見(jiàn)解
2021年9月7日 – 專注于引入新品并提供海量庫(kù)存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 與推動(dòng)節(jié)能創(chuàng)新的半導(dǎo)體解決方案知名供應(yīng)商安森美(onsemi)合作,創(chuàng)建了一個(gè)全新內(nèi)容平臺(tái),用于介紹無(wú)刷直流 (BLDC) 電機(jī)控制資源、產(chǎn)品和技術(shù)見(jiàn)解。安森美在MOSFET和其他電源、傳感和保護(hù)設(shè)備領(lǐng)域處于...
2021-09-07
貿(mào)澤 安森美 BLDC電機(jī)控制
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在正確的比較中了解SiC FET導(dǎo)通電阻隨溫度產(chǎn)生的變化
比較SiC開(kāi)關(guān)的數(shù)據(jù)資料并非易事。由于導(dǎo)通電阻的溫度系數(shù)較低,SiC MOSFET似乎占據(jù)了優(yōu)勢(shì),但是這一指標(biāo)也代表著與UnitedSiC FET相比,它的潛在損耗較高,整體效率低。
2021-09-07
SiC FET 導(dǎo)通電阻 溫度變化
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負(fù)壓脈沖高?教你3招制伏
隨著5G通信與新能源車的普及,人們對(duì)高效率電源的需求越來(lái)越多。而提升電源轉(zhuǎn)換效率的關(guān)鍵因素就在于開(kāi)關(guān)電源中的功率部分。
2021-09-07
負(fù)壓脈 5G通信 電源效率
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開(kāi)關(guān)電源中的局部放電
局部放電(partial discharge,簡(jiǎn)稱PD)現(xiàn)象,通常主要指的是高壓電氣設(shè)備絕緣層在足夠強(qiáng)的電場(chǎng)作用下局部范圍內(nèi)發(fā)生的放電,某個(gè)區(qū)域的電場(chǎng)強(qiáng)度一旦達(dá)到其介質(zhì)擊穿場(chǎng)強(qiáng)時(shí),該區(qū)域就會(huì)出現(xiàn)放電現(xiàn)象。這種放電以僅造成導(dǎo)體間的絕緣局部短(路橋)接而不形成導(dǎo)電通道為限。每一次局部放電對(duì)絕緣介質(zhì)都...
2021-09-07
開(kāi)關(guān)電源 局部放電
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板子上的MOSFET莫名炸機(jī),多半是這個(gè)原因!
MOSFET、IGBT是開(kāi)關(guān)電源最核心也是最容易燒壞的器件!其原因大多是過(guò)壓或過(guò)流導(dǎo)致功耗大增,從而使器件損壞,甚至可能會(huì)伴隨爆炸。而SOA安全工作區(qū)測(cè)試,就是保障其安全工作的重要測(cè)試項(xiàng)目!
2021-09-07
MOSFET 炸機(jī) 開(kāi)關(guān)電源
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新能源汽車驅(qū)動(dòng)電機(jī)結(jié)構(gòu)與工作原理
驅(qū)動(dòng)電機(jī)是電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的核心部件,是車輛行駛的主要執(zhí)行機(jī)構(gòu),其特性決定了車輛的主要性能指標(biāo),直接影響車輛動(dòng)力性、經(jīng)濟(jì)性和舒適性。它是把電能轉(zhuǎn)換為機(jī)械能的一種設(shè)備,它利用勵(lì)磁線圈,產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)形成磁電動(dòng)力旋轉(zhuǎn)力矩。導(dǎo)線在磁場(chǎng)中受力的作用,使電機(jī)輸出轉(zhuǎn)矩。
2021-09-07
新能源汽車 驅(qū)動(dòng)電機(jī) 工作原理
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X-FAB與派恩杰達(dá)成長(zhǎng)期戰(zhàn)略合作,共同推動(dòng)全球SiC產(chǎn)業(yè)發(fā)展
2021年9月6日,模擬晶圓代工龍頭企業(yè)X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)和國(guó)產(chǎn)SiC功率器件供應(yīng)商派恩杰聯(lián)合對(duì)外宣布,雙方就批量生產(chǎn)SiC晶圓建立長(zhǎng)期戰(zhàn)略合作關(guān)系,此前雙方已經(jīng)合作近三年時(shí)間。
2021-09-06
X-FAB SiC功率器件 派恩杰
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功率因數(shù)校正
功率因數(shù)定義為設(shè)備能夠傳輸?shù)捷敵龆说哪芰颗c其從輸入電源處獲取的總能量之比。它是電子設(shè)備設(shè)計(jì)的關(guān)鍵績(jī)效指標(biāo),很多國(guó)家和國(guó)際組織都為此制定了相應(yīng)的法規(guī)。例如歐盟定義了設(shè)備必須具備的最小功率因數(shù)或最大諧波水平,滿足其標(biāo)準(zhǔn)才能在歐洲市場(chǎng)進(jìn)行銷售。
2021-09-06
功率因數(shù) 校正
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