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中國(guó)三網(wǎng)合一助力MEMS應(yīng)用擴(kuò)大
拜三網(wǎng)合一服務(wù)(TriplePlay)所賜，電視、電腦及手機(jī)中的游戲功能數(shù)量激增，帶動(dòng)微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)感測(cè)器在三維(3D)眼鏡、無(wú)線滑鼠、遠(yuǎn)端控制器等應(yīng)用的需求，可望成為繼手機(jī)之后，激勵(lì)MEMS產(chǎn)值攀升的一大動(dòng)能，遂成為MEMS感測(cè)器供應(yīng)商瞄準(zhǔn)的新興市場(chǎng)...
2010-12-23
MEMS 三網(wǎng)合一 陀螺儀
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中國(guó)三網(wǎng)合一助力MEMS應(yīng)用擴(kuò)大
拜三網(wǎng)合一服務(wù)(TriplePlay)所賜，電視、電腦及手機(jī)中的游戲功能數(shù)量激增，帶動(dòng)微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)感測(cè)器在三維(3D)眼鏡、無(wú)線滑鼠、遠(yuǎn)端控制器等應(yīng)用的需求，可望成為繼手機(jī)之后，激勵(lì)MEMS產(chǎn)值攀升的一大動(dòng)能，遂成為MEMS感測(cè)器供應(yīng)商瞄準(zhǔn)的新興市場(chǎng)...
2010-12-23
MEMS 三網(wǎng)合一 陀螺儀
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2011年3D電視份額或達(dá)20%
全球第二大平板電視制造商LG Display公司預(yù)計(jì)，明年3D電視占全球液晶電視市場(chǎng)份額或達(dá)10%至20%。
2010-12-23
液晶電視 3D電視 FPR
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2011年3D電視份額或達(dá)20%
全球第二大平板電視制造商LG Display公司預(yù)計(jì)，明年3D電視占全球液晶電視市場(chǎng)份額或達(dá)10%至20%。
2010-12-23
液晶電視 3D電視 FPR
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智能手機(jī)成無(wú)線通信市場(chǎng)“寵兒”
手機(jī)不僅能打電話發(fā)短信，更將逐步代替電腦甚至游戲機(jī)。近日，在2010年高通公司中國(guó)合作伙伴大會(huì)上，高通公司高級(jí)副總裁克里斯蒂安諾·阿蒙表示，無(wú)線行業(yè)目前已成為整個(gè)消費(fèi)電子產(chǎn)品中最大的一個(gè)市場(chǎng)領(lǐng)域，手機(jī)的數(shù)量將全面超越游戲機(jī)和PC。
2010-12-23
智能手機(jī) 無(wú)線通信 消費(fèi)電子
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鋰電行業(yè)利潤(rùn)率幾近腰斬 國(guó)內(nèi)企業(yè)抱團(tuán)突圍
七、八月份鋰電新能源概念板塊股票的強(qiáng)勢(shì)上漲讓市場(chǎng)見(jiàn)證其瘋狂,然而在資本的狂歡之下,卻是國(guó)內(nèi)鋰電企業(yè)集體遭遇國(guó)內(nèi)無(wú)序惡性競(jìng)爭(zhēng)、日韓企業(yè)兇猛搶占市場(chǎng)的內(nèi)外夾擊困境。前日,杉杉科技發(fā)起的“中國(guó)鋰電企業(yè)家俱樂(lè)部”在寧波成立,國(guó)內(nèi)80余家鋰電相關(guān)企業(yè)負(fù)責(zé)人齊聚,熱議行業(yè)的“?！迸c“機(jī)”。希望借助抱團(tuán)...
2010-12-23
鋰電池 企業(yè)抱團(tuán) 利潤(rùn)率 內(nèi)外夾擊
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CISSOID推出高溫度30V小訊號(hào)P-FET場(chǎng)效應(yīng)管
CISSOID，在高溫半導(dǎo)體方案的領(lǐng)導(dǎo)者推出了一個(gè)行星家族(高溫度晶體管及開(kāi)關(guān))的新成員?；鹦鞘且粋€(gè)高溫度30V小訊號(hào)P-FET場(chǎng)效應(yīng)管, 適合于-55 ℃至+225℃高溫可靠運(yùn)作。 由于它耐于極端溫度,只有14pF的輸入電容值及于+225° C下最高只有400nA閘極漏電流。所以這30V晶體管非常適合于高溫度傳感器介面,例如...
2010-12-23
CISSOID 高溫度 30V 小訊號(hào) P-FET 場(chǎng)效應(yīng)管
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CISSOID推出高溫度30V小訊號(hào)P-FET場(chǎng)效應(yīng)管
CISSOID，在高溫半導(dǎo)體方案的領(lǐng)導(dǎo)者推出了一個(gè)行星家族(高溫度晶體管及開(kāi)關(guān))的新成員?；鹦鞘且粋€(gè)高溫度30V小訊號(hào)P-FET場(chǎng)效應(yīng)管, 適合于-55 ℃至+225℃高溫可靠運(yùn)作。 由于它耐于極端溫度,只有14pF的輸入電容值及于+225° C下最高只有400nA閘極漏電流。所以這30V晶體管非常適合于高溫度傳感器介面,例如...
2010-12-23
CISSOID 高溫度 30V 小訊號(hào) P-FET 場(chǎng)效應(yīng)管
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CISSOID推出高溫度30V小訊號(hào)P-FET場(chǎng)效應(yīng)管
CISSOID，在高溫半導(dǎo)體方案的領(lǐng)導(dǎo)者推出了一個(gè)行星家族(高溫度晶體管及開(kāi)關(guān))的新成員?；鹦鞘且粋€(gè)高溫度30V小訊號(hào)P-FET場(chǎng)效應(yīng)管, 適合于-55 ℃至+225℃高溫可靠運(yùn)作。 由于它耐于極端溫度,只有14pF的輸入電容值及于+225° C下最高只有400nA閘極漏電流。所以這30V晶體管非常適合于高溫度傳感器介面,例如...
2010-12-23
CISSOID 高溫度 30V 小訊號(hào) P-FET 場(chǎng)效應(yīng)管
- 智能設(shè)備的“耳朵”：MEMS麥克風(fēng)技術(shù)與選型指南
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