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富士膠片開(kāi)發(fā)出替代ITO的透明導(dǎo)電薄膜
富士膠片開(kāi)發(fā)出了具有高透射率和彎曲性的透明導(dǎo)電薄膜。主要用于觸摸面板，計(jì)劃取代ITO薄膜使用。該公司在“第二屆尖端電子材料EXPO～材料日本～”（2011年1月19～21日，東京有明國(guó)際會(huì)展中心）上公開(kāi)了試制品。
2011-01-28
富士膠片 ITO 透明 導(dǎo)電薄膜 觸摸面板
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廉價(jià)智能手機(jī)打開(kāi)中國(guó)市場(chǎng)
近日基于中國(guó)政府今年目標(biāo)實(shí)現(xiàn)3G用戶超過(guò)1億，市場(chǎng)不久將出現(xiàn)100美元以下的智能手機(jī)，電信運(yùn)營(yíng)商的補(bǔ)貼也同樣重要，高通投資部中國(guó)區(qū)高級(jí)總監(jiān)沈勁(James Shen)日前表示。
2011-01-28
高通 廉價(jià) 智能手機(jī) 中國(guó)市場(chǎng) android 電信
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健康3D電視成主流
2010年，3D電視迎來(lái)發(fā)展元年，隨著3D電視的普及，3D電視的健康問(wèn)題一再升級(jí)倍受關(guān)注，國(guó)內(nèi)外各大彩電品牌紛紛發(fā)起了3D健康革命，推出不閃式3D電視。
2011-01-28
3D 電視 液晶
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健康3D電視成主流
2010年，3D電視迎來(lái)發(fā)展元年，隨著3D電視的普及，3D電視的健康問(wèn)題一再升級(jí)倍受關(guān)注，國(guó)內(nèi)外各大彩電品牌紛紛發(fā)起了3D健康革命，推出不閃式3D電視。
2011-01-28
3D 電視 液晶
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2011年67%以上的液晶面板將采用LED背光
據(jù)IHS iSuppli公司預(yù)測(cè)，2011年全球出貨的三分之二以上大尺寸液晶面板將采用LED背光，該比例2010年低于50%。預(yù)計(jì)2011年將有67%的大尺寸液晶面板采用LED背光，高于2010年的44%。2011年LED背光大尺寸液晶面板出貨量將達(dá)到4.956億塊，比2010年的2.833億塊大增74.9%。
2011-01-28
液晶 面板LED背光
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2011年67%以上的液晶面板將采用LED背光
據(jù)IHS iSuppli公司預(yù)測(cè)，2011年全球出貨的三分之二以上大尺寸液晶面板將采用LED背光，該比例2010年低于50%。預(yù)計(jì)2011年將有67%的大尺寸液晶面板采用LED背光，高于2010年的44%。2011年LED背光大尺寸液晶面板出貨量將達(dá)到4.956億塊，比2010年的2.833億塊大增74.9%。
2011-01-28
液晶 面板LED背光
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飛兆推出UniFET? II MOSFET消費(fèi)產(chǎn)品功率轉(zhuǎn)換器
開(kāi)關(guān)電源的設(shè)計(jì)人員需要能夠耐受反向電流尖刺并降低開(kāi)關(guān)損耗的高電壓MOSFET器件，飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)憑借精深的MOSFET技術(shù)知識(shí)，開(kāi)發(fā)出經(jīng)優(yōu)化的功率MOSFET產(chǎn)品UniFET? II MOSFET，新產(chǎn)品具有更佳的體二極管和更低的開(kāi)關(guān)損耗，并可在二極管恢復(fù)dv/dt模式下耐受雙倍電流應(yīng)力。
2011-01-27
UniFET? II MOSFET 飛兆 消費(fèi)產(chǎn)品 功率轉(zhuǎn)換器 開(kāi)關(guān)電源
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飛兆推出UniFET? II MOSFET消費(fèi)產(chǎn)品功率轉(zhuǎn)換器
開(kāi)關(guān)電源的設(shè)計(jì)人員需要能夠耐受反向電流尖刺并降低開(kāi)關(guān)損耗的高電壓MOSFET器件，飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)憑借精深的MOSFET技術(shù)知識(shí)，開(kāi)發(fā)出經(jīng)優(yōu)化的功率MOSFET產(chǎn)品UniFET? II MOSFET，新產(chǎn)品具有更佳的體二極管和更低的開(kāi)關(guān)損耗，并可在二極管恢復(fù)dv/dt模式下耐受雙倍電流應(yīng)力。
2011-01-27
UniFET? II MOSFET 飛兆 消費(fèi)產(chǎn)品 功率轉(zhuǎn)換器 開(kāi)關(guān)電源
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飛兆推出UniFET? II MOSFET消費(fèi)產(chǎn)品功率轉(zhuǎn)換器
開(kāi)關(guān)電源的設(shè)計(jì)人員需要能夠耐受反向電流尖刺并降低開(kāi)關(guān)損耗的高電壓MOSFET器件，飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)憑借精深的MOSFET技術(shù)知識(shí)，開(kāi)發(fā)出經(jīng)優(yōu)化的功率MOSFET產(chǎn)品UniFET? II MOSFET，新產(chǎn)品具有更佳的體二極管和更低的開(kāi)關(guān)損耗，并可在二極管恢復(fù)dv/dt模式下耐受雙倍電流應(yīng)力。
2011-01-27
UniFET? II MOSFET 飛兆 消費(fèi)產(chǎn)品 功率轉(zhuǎn)換器 開(kāi)關(guān)電源
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