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智能家居

富士通展示可提高4倍芯片間電接口數據傳輸速率的研究成果

富士通半導體歐洲（FSEU）已經證明可以通過CEI-28G-VSR接口進行單信道大于100Gbps的數據傳輸，從而將光互聯(lián)論壇(OIF)定義的芯片間電接口數據傳輸速率提高到4倍。這項研究成果驗證了在利用為長距離光傳輸系統(tǒng)所開發(fā)的CMOS ADC/DAC轉換器技術后，短距離電信號傳輸所能達到的數據速率。

2012-10-24

富士通接口數據傳輸速率

意法半導體、Soitec、CMP聯(lián)合提供28納米FD-SOI CMOS制程

意法半導體、 Soitec與CMP攜手為大學院校、研究實驗室和工業(yè)企業(yè)設計下一代系統(tǒng)級芯片并提供工程流片服務，可通過CMP的硅中介服務使用意法半導體的CMOS 28納米全耗盡型絕緣層上硅（FD-SOI）制程進行工程流片。

2012-10-24

意法半導體 Soitec CMP 28納米 CMOS 制程

完美結合耐用性、頻率范圍與寬帶能力射頻功率晶體管

為了滿足市場對射頻功率器件增強耐用性和在廣泛的頻率范圍進行寬帶運行的需求，飛思卡爾半導體公司推出了兩款功能豐富的器件，旨在為采用LDMOS處理技術制造的射頻功率產品提供新級別的線性和耐用性。

2012-10-23

射頻飛思卡爾晶體管

完美結合耐用性、頻率范圍與寬帶能力射頻功率晶體管

2012-10-23

射頻飛思卡爾晶體管

2 mm x 2 mm、采用可焊性鍍錫側焊盤的MOSFET

恩智浦半導體推出業(yè)內首款2 mm x 2 mm、采用可焊性鍍錫側焊盤的超薄DFN （分立式扁平無引腳）封裝MOSFET。這些獨特的側焊盤提供光學焊接檢測的優(yōu)勢，與傳統(tǒng)無引腳封裝相比，焊接連接質量更好。

2012-10-23

NXP MOSFET 智能手機

適用于空間緊湊的高速接口ESD保護產品

恩智浦電路保護產品組合同時具備超低電容和超低鉗位電壓特性，是保護eSATA、Thunderbolt、USB 3.0/2.0和Ethernet等高速信號線的理想之選，采用這些超緊湊型封裝后，特別適合智能手機、播放器、平板電腦和電子閱讀器等空間緊湊型應用。

2012-10-23

ESD NXP Thunderbolt USB 3.0

4款領先的電流并聯(lián)監(jiān)測器產品

德州儀器推出4款業(yè)界領先器件，進一步壯大電流并聯(lián)監(jiān)測器產品陣營，對各種終端設備進行了優(yōu)化，從智能手機、平板電腦、計算機與服務器到電源管理產品、電池充電器乃至工業(yè)、電信以及測量設備。

2012-10-23

TI 電流并聯(lián) 監(jiān)測器

4款領先的電流并聯(lián)監(jiān)測器產品

2012-10-23

TI 電流并聯(lián) 監(jiān)測器

TI推出降低散熱達30℃的新降壓升壓轉換器

最新 4G 手機具有更高的數據上載需求，要求對各種應用程序實現(xiàn)“實時”開啟或關閉，這需要更高的射頻功率放大器輸出水平，使LTE即便在較低的電池電壓下也能工作。TI推出新降壓升壓轉換器，將流耗銳降50%并降低放大器散熱達30攝氏度。

2012-10-23

TI 降壓升壓轉換器 4G手機

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富士通展示可提高4倍芯片間電接口數據傳輸速率的研究成果

意法半導體、Soitec、CMP聯(lián)合提供28納米FD-SOI CMOS制程

完美結合耐用性、頻率范圍與寬帶能力射頻功率晶體管

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2 mm x 2 mm、采用可焊性鍍錫側焊盤的MOSFET

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TI推出降低散熱達30℃的新降壓升壓轉換器

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