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高度2.4mm間距0.85mm的SMD DDR4 DIMM插槽
為配合2014年初英特爾將推出的Grantley服務(wù)器平臺(tái)和Haswell服務(wù)器處理器，F(xiàn)CI快速開(kāi)發(fā)出了284引腳表面貼裝DDR4 DIMM插槽，間距僅為0.85毫米，高度僅為2.4mm，它完全符合JEDEC MO-309A標(biāo)準(zhǔn)。
2012-12-04
DDR4 FCI 連接器
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九個(gè)方法：降低移動(dòng)電話非穩(wěn)態(tài)噪聲
語(yǔ)音質(zhì)量對(duì)于移動(dòng)電話用戶來(lái)說(shuō)很重要，影響語(yǔ)音質(zhì)量的一個(gè)主要因素是環(huán)境噪聲，因此任何抑制噪聲的方法對(duì)于手機(jī)制造商來(lái)說(shuō)都是一個(gè)實(shí)現(xiàn)差異化的機(jī)會(huì)。
2012-12-03
低移動(dòng)電話 非穩(wěn)態(tài)噪聲
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C&K開(kāi)發(fā)出智能手機(jī)用IP68等級(jí)30萬(wàn)次壽命微型開(kāi)關(guān)
如果你正在設(shè)計(jì)超薄智能手機(jī)，但又不希望犧牲開(kāi)關(guān)的性能和信號(hào)質(zhì)量，那么推薦你考慮C&K Components最新開(kāi)發(fā)出的頂部驅(qū)動(dòng)的KLT系列pico開(kāi)關(guān)，與現(xiàn)有的KMT系列nano開(kāi)關(guān)相比，尺寸大幅縮小，封裝等級(jí)高達(dá)IP68，開(kāi)關(guān)壽命高達(dá)30萬(wàn)次，實(shí)為不可多得的理想之選。
2012-12-03
智能手機(jī) 微型開(kāi)關(guān) C&K
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降低EMI影響，手機(jī)D類(lèi)放大器怎么設(shè)計(jì)？
由于在效率上相對(duì)于AB類(lèi)放大器的巨大優(yōu)勢(shì)，D類(lèi)放大器的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。根據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu) Gartner的報(bào)告，D類(lèi)放大器在2006年至2011年之間的復(fù)合年成長(zhǎng)率將達(dá)15.6%，從3.34億美元成長(zhǎng)至6.88億美元，主要的成長(zhǎng)動(dòng)力來(lái)自于功耗敏感及空間受限的消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品。但D類(lèi)放大器開(kāi)關(guān)輸出的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)帶來(lái)了高...
2012-12-03
降低 EMI 手機(jī)D類(lèi)放大器
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降低EMI影響，手機(jī)D類(lèi)放大器怎么設(shè)計(jì)？
由于在效率上相對(duì)于AB類(lèi)放大器的巨大優(yōu)勢(shì)，D類(lèi)放大器的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。根據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu) Gartner的報(bào)告，D類(lèi)放大器在2006年至2011年之間的復(fù)合年成長(zhǎng)率將達(dá)15.6%，從3.34億美元成長(zhǎng)至6.88億美元，主要的成長(zhǎng)動(dòng)力來(lái)自于功耗敏感及空間受限的消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品。但D類(lèi)放大器開(kāi)關(guān)輸出的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)帶來(lái)了高...
2012-12-03
降低 EMI 手機(jī)D類(lèi)放大器
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Thunderbolt的ESD防護(hù)如何實(shí)現(xiàn)？
由于Thunderbolt是超高速的傳輸接口，在系統(tǒng)上屬外露給使用者可以插拔的接口，必然是靜電放電(ESD)破壞的高風(fēng)險(xiǎn)區(qū)，因此ESD防護(hù)方案在此是絕對(duì)必要的。但在額外加入的ESD防護(hù)組件設(shè)計(jì)時(shí)，又必須特別注意不可以影響到其超高速訊號(hào)的傳輸質(zhì)量，這讓ESD的防護(hù)又增加了挑戰(zhàn)。
2012-12-03
Thunderbolt ESD 防護(hù)
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創(chuàng)造12.5Gb/s傳輸速率應(yīng)用的新行業(yè)基準(zhǔn)AirMax VS2連接器
FCI的無(wú)屏蔽式AirMax VS2連接器，為 12.5 Gb/s應(yīng)用確立富有競(jìng)爭(zhēng)力的行業(yè)基準(zhǔn)。AirMax VS2協(xié)調(diào)了AirMax Vse帶來(lái)的信號(hào)集成度（SI）和機(jī)械改進(jìn)和創(chuàng)新特點(diǎn)，保留與AirMax VS的完全插入和配接能力，為用戶帶來(lái)更佳的成本優(yōu)勢(shì)。
2012-12-03
12.5Gb/s 基準(zhǔn) AirMax VS2 連接器
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0.8mm x 0.8mm封裝的芯片級(jí)功率MOSFET
Vishay推出采用業(yè)內(nèi)最小芯片級(jí)MICRO FOOT封裝的新款Vishay Siliconix功率MOSFET，器件具有0.8mm x 0.8mm封裝，在4.5V下導(dǎo)通電阻低至43m?，可使便攜式電子產(chǎn)品變得更薄、更輕。
2012-12-03
0.8mm 芯片 MOSFET
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基于3G、智能手機(jī)電路保護(hù)設(shè)計(jì)時(shí)的方案選擇及器件對(duì)比
伴隨著半導(dǎo)體技術(shù)的高速發(fā)展和集成電路的廣泛應(yīng)用，各種電子設(shè)備不斷朝著尺寸小型化、功能多樣化和高度集成化方向發(fā)展。手機(jī)作為便攜式電子產(chǎn)品，對(duì)尺寸的要求更苛刻，而隨著3G 時(shí)代來(lái)臨，未來(lái)的手機(jī)功能會(huì)更強(qiáng)大，各種功能模塊的集成度會(huì)更高，這些都使各類(lèi)芯片耐受過(guò)電壓的能力下降，從而對(duì)手機(jī)的...
2012-11-30
半導(dǎo)體 智能手機(jī) 電路防護(hù)
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