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響應時間不大于25nS，單體突波耐電流能力達70KA的MOV
君耀壓敏電阻符合多項檢驗標準，并提供豐富的產(chǎn)品系列以供選型。該系列產(chǎn)品具有快速的響應速度，響應時間≤25nS，突波耐電流能力從幾百安培到幾十千安培不等，單體最大可達 70KA。
2013-01-24
君耀 MOV 壓敏電阻
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超薄插拔式Micro SIM卡連接器，高度僅為1.24毫米
TE近日發(fā)布了一款超薄插拔式Micro SIM卡連接器。這款先進的硬件解決方案可以在提高效率的同時降低終端產(chǎn)品的成本和尺寸。較上一代插拔式Mini SIM卡連接器，TE這款新產(chǎn)品可額外節(jié)省35%的PCB（印刷電路板）空間，并具有更小的外形尺寸，從而為終端設備的尺寸設計和應用帶來了更大的靈活性。
2013-01-24
連接器 插拔式 TE
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超薄插拔式Micro SIM卡連接器，高度僅為1.24毫米
TE近日發(fā)布了一款超薄插拔式Micro SIM卡連接器。這款先進的硬件解決方案可以在提高效率的同時降低終端產(chǎn)品的成本和尺寸。較上一代插拔式Mini SIM卡連接器，TE這款新產(chǎn)品可額外節(jié)省35%的PCB（印刷電路板）空間，并具有更小的外形尺寸，從而為終端設備的尺寸設計和應用帶來了更大的靈活性。
2013-01-24
連接器 插拔式 TE
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可用于智能手機的新款超小型功率MOSFET
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱 IR) 擴展其封裝系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的 HEXFET MOSFET 硅技術，為一系列的低功耗應用，包括智能手機、平板電腦、攝像機、數(shù)碼相機、筆記本電腦、服務器和網(wǎng)絡通訊設備，提供超小型、高密度和高效率的解決方案。
2013-01-24
智能手機 MOSFET 平板電腦
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可用于智能手機的新款超小型功率MOSFET
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱 IR) 擴展其封裝系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的 HEXFET MOSFET 硅技術，為一系列的低功耗應用，包括智能手機、平板電腦、攝像機、數(shù)碼相機、筆記本電腦、服務器和網(wǎng)絡通訊設備，提供超小型、高密度和高效率的解決方案。
2013-01-24
智能手機 MOSFET 平板電腦
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可用于智能手機的新款超小型功率MOSFET
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱 IR) 擴展其封裝系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的 HEXFET MOSFET 硅技術，為一系列的低功耗應用，包括智能手機、平板電腦、攝像機、數(shù)碼相機、筆記本電腦、服務器和網(wǎng)絡通訊設備，提供超小型、高密度和高效率的解決方案。
2013-01-24
智能手機 MOSFET 平板電腦
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新型功率MOSFET系列，將DC-DC 開關應用效率提升2%
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出DirectFETplus 功率MOSFET 系列，采用了IR 的新一代硅技術，可為 12V 輸入同步降壓應用提供最佳效率，這些應用包括新一代服務器、臺式電腦和筆記本電腦。
2013-01-24
MOSFET 硅技術 最佳效率
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新型功率MOSFET系列，將DC-DC 開關應用效率提升2%
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出DirectFETplus 功率MOSFET 系列，采用了IR 的新一代硅技術，可為 12V 輸入同步降壓應用提供最佳效率，這些應用包括新一代服務器、臺式電腦和筆記本電腦。
2013-01-24
MOSFET 硅技術 最佳效率
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新型功率MOSFET系列，將DC-DC 開關應用效率提升2%
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出DirectFETplus 功率MOSFET 系列，采用了IR 的新一代硅技術，可為 12V 輸入同步降壓應用提供最佳效率，這些應用包括新一代服務器、臺式電腦和筆記本電腦。
2013-01-24
MOSFET 硅技術 最佳效率
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