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觸控?zé)釒?dòng)觸控式屏幕需求攀升
“蘋果瘋”延燒至全球各地，連帶使觸控式屏幕需求大幅攀升。中國大陸近日掀起電容式觸控式屏幕擴(kuò)產(chǎn)狂潮。
2010-11-26
觸控 屏幕 攀升
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2011年全球平板裝置市場將增長183%
資策會(huì)產(chǎn)業(yè)情報(bào)研究所(MIC)預(yù)估，2010年全球平板裝置(Tablet Device)市場規(guī)模將達(dá)到1,228萬臺(tái)，2011年約為3,481萬臺(tái)，成長率為183%；預(yù)期至2012年將會(huì)突破5,000萬臺(tái)，成長率為45.7%。
2010-11-26
平板裝置 電子閱讀器 電子書 彩色電子
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超低功耗的開關(guān)電源的設(shè)計(jì)
許多消費(fèi)類產(chǎn)品OEM制造商所生產(chǎn)的電子設(shè)備都具有超低待機(jī)功耗，但真正的目標(biāo)還是要盡可能地接近零功耗。PowerIntegrations新推出的兩款高壓MOSFET可以幫助設(shè)計(jì)師將電路中的耗能元件隔離。本文講述超低功耗的開關(guān)電源的設(shè)計(jì)...
2010-11-26
超低功耗 扼流圈 開關(guān)電源
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辰駒電子高安全性電路保護(hù)解決方案閃耀深圳高交會(huì)
在剛剛閉幕的深圳高新技術(shù)成果交流會(huì)上，深圳市辰駒電子科技有限公司(CNJU)攜多款電路保護(hù)產(chǎn)品出席，其中包括封裝型高能防火防爆壓敏電阻、 TMOV、陶瓷氣體放電管、無續(xù)流過電壓保護(hù)器PQ系列、低壓避雷器等。大方簡約的展臺(tái)吸引了很多的觀眾，并充分了解辰駒電子的產(chǎn)品和技術(shù)。
2010-11-25
電路保護(hù) 高安全性 辰駒電子 高交會(huì)
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辰駒電子高安全性電路保護(hù)解決方案閃耀深圳高交會(huì)
在剛剛閉幕的深圳高新技術(shù)成果交流會(huì)上，深圳市辰駒電子科技有限公司(CNJU)攜多款電路保護(hù)產(chǎn)品出席，其中包括封裝型高能防火防爆壓敏電阻、 TMOV、陶瓷氣體放電管、無續(xù)流過電壓保護(hù)器PQ系列、低壓避雷器等。大方簡約的展臺(tái)吸引了很多的觀眾，并充分了解辰駒電子的產(chǎn)品和技術(shù)。
2010-11-25
電路保護(hù) 高安全性 辰駒電子 高交會(huì)
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辰駒電子高安全性電路保護(hù)解決方案閃耀深圳高交會(huì)
在剛剛閉幕的深圳高新技術(shù)成果交流會(huì)上，深圳市辰駒電子科技有限公司(CNJU)攜多款電路保護(hù)產(chǎn)品出席，其中包括封裝型高能防火防爆壓敏電阻、 TMOV、陶瓷氣體放電管、無續(xù)流過電壓保護(hù)器PQ系列、低壓避雷器等。大方簡約的展臺(tái)吸引了很多的觀眾，并充分了解辰駒電子的產(chǎn)品和技術(shù)。
2010-11-25
電路保護(hù) 高安全性 辰駒電子 高交會(huì)
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超低壓雙電層晶體管研究獲得進(jìn)展
膜晶體管(Thin-filmtransistors,TFTs)是一類重要的半導(dǎo)體器件，在平板顯示、傳感器等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用價(jià)值。最近幾年，寬帶隙氧化物半導(dǎo)體由于其具有低溫成膜、高電子遷移率、可見光透明等優(yōu)點(diǎn)，在薄膜晶體管領(lǐng)域引起了人們廣泛的研究興趣。由于常規(guī)SiO2柵介質(zhì)電容耦合較弱，當(dāng)前薄膜晶體管的典型...
2010-11-25
薄膜晶體管 半導(dǎo)體器件 階段性 突破
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超低壓雙電層晶體管研究獲得進(jìn)展
膜晶體管(Thin-filmtransistors,TFTs)是一類重要的半導(dǎo)體器件，在平板顯示、傳感器等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用價(jià)值。最近幾年，寬帶隙氧化物半導(dǎo)體由于其具有低溫成膜、高電子遷移率、可見光透明等優(yōu)點(diǎn)，在薄膜晶體管領(lǐng)域引起了人們廣泛的研究興趣。由于常規(guī)SiO2柵介質(zhì)電容耦合較弱，當(dāng)前薄膜晶體管的典型...
2010-11-25
薄膜晶體管 半導(dǎo)體器件 階段性 突破
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超低壓雙電層晶體管研究獲得進(jìn)展
膜晶體管(Thin-filmtransistors,TFTs)是一類重要的半導(dǎo)體器件，在平板顯示、傳感器等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用價(jià)值。最近幾年，寬帶隙氧化物半導(dǎo)體由于其具有低溫成膜、高電子遷移率、可見光透明等優(yōu)點(diǎn)，在薄膜晶體管領(lǐng)域引起了人們廣泛的研究興趣。由于常規(guī)SiO2柵介質(zhì)電容耦合較弱，當(dāng)前薄膜晶體管的典型...
2010-11-25
薄膜晶體管 半導(dǎo)體器件 階段性 突破
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