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突破傳統(tǒng)的IGBT系統(tǒng)電路保護(hù)設(shè)計
目前，在使用和設(shè)計IGBT的過程中，基本上都是采用粗放式的設(shè)計模式——所需余量較大，系統(tǒng)龐大，但仍無法抵抗來自外界的干擾和自身系統(tǒng)引起的各種失效問題。 本文將突破傳統(tǒng)的保護(hù)方式，探討IGBT系統(tǒng)電路保護(hù)設(shè)計的解決方案。
2013-03-25
IGBT 電路設(shè)計 電路保護(hù)
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TSPD與PPTC在雷電防護(hù)電路中的應(yīng)用
雷電防護(hù)器件有很多種，其特性各有不同。本文以TSPD和PPTC為例，對這兩種保護(hù)器件的應(yīng)用特性和注意事項以及防護(hù)原理都給出了很詳細(xì)的講解，看這兩種器件到底有什么厲害之處。
2013-03-22
雷電防護(hù) PPTC TSPD
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【設(shè)計攻略】USB 3.0的電路保護(hù)
USB 3.0的高速傳輸已經(jīng)增加的電流和供電能力意味著需要新的電路保護(hù),本文介紹一了經(jīng)過改進(jìn)的電路保護(hù)方法，可以幫助保護(hù)USB 3.0應(yīng)用免受過流、過壓及ESD瞬態(tài)電壓帶來的損害。
2013-03-22
USB 3.0 電路保護(hù) 設(shè)計攻略
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應(yīng)用在電源管理中的肖特基二極管
很多設(shè)計都采用一個轉(zhuǎn)換器設(shè)計（網(wǎng)絡(luò)）工具推薦的二極管。這并非總是二極管的最優(yōu)選擇。本文將探討一些在選擇正確的二極管時應(yīng)仔細(xì)考慮的典型參數(shù)，以及如何應(yīng)用這些參數(shù)來快速確定選型的正確與否。
2013-03-22
電源管理 肖特基二極管 熱逃逸
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變壓器過電壓抑制介紹
變壓器因雷電過電壓造成的事故還時有發(fā)生，提出將高頻磁環(huán)并聯(lián)阻尼電阻后串接在線路的適當(dāng)位置來抑制變電站變壓器雷電過電壓的方法，通過振蕩回路的試驗和仿真建立了高頻磁環(huán)的EMTP仿真計算模型。
2013-03-22
變壓器 過電壓 抑制
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可將元件損失降低50%的肖特基勢壘二極管
東芝將量產(chǎn)SiC制肖特基勢壘二極管，可將元件損失降低50%以上。新產(chǎn)品可用于服務(wù)器電源、光伏發(fā)電用功率調(diào)節(jié)器等用途，新產(chǎn)品的反向重復(fù)峰值電壓VRRM為650V，平均正向電流IFM為12A，正向電壓VF為1.7V，反向重復(fù)峰值電流IRRM為90μA。
2013-03-22
肖特基勢壘二極管 損耗 量產(chǎn)
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2013中韓LED照明產(chǎn)業(yè)高峰論壇在蓉勝利閉幕
日前，“2013中韓LED產(chǎn)業(yè)高峰論壇”在成都世紀(jì)城新國際會展中心4-5會議室圓滿落幕，中韓專家悉數(shù)到場做了精彩報告，論壇吸引了超過3000人次的關(guān)注，大批LED行業(yè)專業(yè)人士和企業(yè)代表出席并參加了論壇。
2013-03-21
2013中韓LED產(chǎn)業(yè)高峰論壇,LED行業(yè)
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怎樣計算晶振的負(fù)載電容
各種邏輯芯片的晶振引腳可以等效為電容三點式振蕩器。晶振引腳的內(nèi)部通常是一個反相器，或者是奇數(shù)個反相器串聯(lián)。在晶振輸出引腳XO和晶振輸入引腳XI之間用一個電阻連接。
2013-03-21
計算 晶振 負(fù)載電容
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新開發(fā)的片狀多層陶瓷電容器
京瓷開發(fā)出全球首創(chuàng)的片狀多層陶瓷電容器，主要用于工業(yè)設(shè)備，具有較小的尺寸和耐高壓及高靜電容量性能。新產(chǎn)品(CM316X7S475M100V)采用京瓷多年積累的材料技術(shù)對介質(zhì)材料進(jìn)行改善。
2013-03-20
片狀多層陶瓷電容器 耐高壓 高靜電容量
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