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康普觀點：構建合適的 Wi-Fi 6 基礎設施至關重要
數(shù)字化一直是推動著后疫情時期許多機構反彈回升的關鍵使能因素，在推動復蘇的進程中，最具變革性的可能要屬互聯(lián)設備的指數(shù)級采用。亞太地區(qū)在此趨勢中居于領先，據(jù)行業(yè)報告預測，到 2026 年，區(qū)域物聯(lián)網(wǎng)（IoT）市場將呈指數(shù)級增長，達到 4,370 億美元。然而，當前的 Wi-Fi 連接標準可能無法提供足夠...
2021-08-19
康普 Wi-Fi 6 基礎設施
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IOTE 2021第十六屆國際物聯(lián)網(wǎng)—深圳站
IOTE 2021第十六屆國際物聯(lián)網(wǎng)展·深圳站，是一個關于物聯(lián)網(wǎng)完整產業(yè)鏈，覆蓋物聯(lián)網(wǎng)感知層、網(wǎng)絡層、運算與平臺層、應用層，涉及RFID（無線射頻識別）技術、傳感網(wǎng)技術、物聯(lián)網(wǎng)通信技術、金融消費移動支付技術、中間件的精確控制技術、大數(shù)據(jù)處理、AIoT、云計算、邊緣計算、實時定位技術等物聯(lián)網(wǎng)技術...
2021-08-17
國際物聯(lián)網(wǎng) 智能家居 智能電網(wǎng) AIoT
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大功率晶閘管參數(shù)解析之正向特性
功率二極管晶閘管廣泛應用于AC/DC變換器、UPS、交流靜態(tài)開關、SVC和電解氫等場合，但大多數(shù)工程師對這類雙極性器件的了解不及對IGBT的了解，為此我們組織了6篇連載，包括正向特性，動態(tài)特性，控制特性，保護以及損耗與熱特性。
2021-08-16
大功率晶閘管 正向特性
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功率因素校正電路PFC電感旁路二極管的作用
本文總結了功率因素校正電路PFC電感加旁路二極管作用的幾種不同解釋：減少主二極管的浪涌電流；提高系統(tǒng)抗雷擊的能力；減少開機瞬間系統(tǒng)的峰值電流，防止電感飽和損壞功率MOSFET。
2021-08-13
電路PFC電感 旁路二極管
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使用低功耗藍牙，擺脫線纜束縛
隨著對附加傳感器、智能顯示器以及與外界聯(lián)系能力的需求不斷加強，設備和機器朝著更智能的方向發(fā)展。伴隨這些功能而來的是復雜度增加。由于設備出現(xiàn)故障時，需要打開設備或連接到端口進行問題診斷，這會造成防水難度增加、產品成本和設備的維修成本增加等多重局限。很多時候，由于成本或結構尺寸因...
2021-08-13
低功耗藍牙 應用案例
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吉時利和Initial State全新方案，在家即可分析DAQ/DMM數(shù)據(jù)
我記得自己擔任高級項目經(jīng)理那會兒，面對一個新產品開發(fā)環(huán)境，各個團隊都壓力山大，要為關鍵應用迅速推出優(yōu)質產品，因此生命周期測試成為必須。如果一項測試半夜里無聲無息中斷了，那絕對讓人深惡痛絕，因為它不僅浪費了我們寶貴的時間，還浪費了我們的測試裝備。我花了無數(shù)個小時，通過圖表理解數(shù)據(jù)。
2021-08-11
吉時利 Initial State DAQ/DMM數(shù)據(jù)
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N溝道耗盡型功率MOSFET的電路應用
電源系統(tǒng)中的恒定電流源，固態(tài)繼電器，電信開關和高壓直流線路等應用需要N溝道耗盡型功率MOSFET，當柵極至源極電壓為零時，該MOSFET用作常開的開關。本文將介紹IXYS最新的N溝道耗盡型功率MOSFET及其應用優(yōu)勢，以幫助設計人員在許多工業(yè)應用中選擇這些器件。
2021-08-10
N溝道 功率MOSFET 電路應用
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根據(jù) SCI 輸入信號自動校準波特率
本文檔概述了一種基于 SCI/UART 輸入信號，可以自動校準本設備SCI/UART波特率的方法，該方法適用與所有第三代C2000芯片，比如F2807x/37x，F(xiàn)28004x，F(xiàn)28002x等等。
2021-08-10
SCI輸入信號 自動校準 波特率
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智能車單片機的分段PID控制
自動尋跡智能車涉及到當前高技術領域內的許多先進技術，其中 主要的是傳感技術、路徑規(guī)劃和運動控制。本課題是以飛思卡爾智能車競賽為背景，以單片機作為 控制單元，以攝像頭作為路徑識別傳感器，以直流電機作為小車的驅動裝置，以舵機控制小車轉向。
2021-08-09
智能車單片機 PID控制
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