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鉭電容技術(shù)全景解析：從納米級(jí)介質(zhì)到AI服務(wù)器供電革命
鉭電容以五氧化二鉭（Ta?O?）介質(zhì)層為核心，通過(guò)高純度鉭粉燒結(jié)形成多孔陽(yáng)極基體，經(jīng)電化學(xué)氧化生成僅0.5-1nm的絕緣介質(zhì)層，再覆蓋二氧化錳或聚合物陰極構(gòu)成電荷存儲(chǔ)體系16。其介電常數(shù)達(dá)27，遠(yuǎn)超鋁電解電容的8-10，賦予其超高容量密度（200μF/mm3）、低ESR（最低0.05Ω）及寬溫穩(wěn)定性（-55℃~125℃容...
2025-07-04
鉭電容 選型指南 鉭電容與MLCC區(qū)別 聚合物鉭電容 車(chē)規(guī)級(jí)鉭電容 國(guó)產(chǎn)鉭電容品牌 高密度電路電容設(shè)計(jì)
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溫漂±5ppm的硬核科技：車(chē)規(guī)薄膜電阻在衛(wèi)星與6G中的關(guān)鍵作用
隨著汽車(chē)?yán)走_(dá)向79GHz演進(jìn)、低軌衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)加速部署、6G微基站啟動(dòng)原型驗(yàn)證，車(chē)規(guī)薄膜電阻正突破傳統(tǒng)應(yīng)用邊界，成為高頻高可靠電子系統(tǒng)的隱形守護(hù)者。
2025-07-03
車(chē)規(guī)薄膜電阻 AEC-Q200認(rèn)證 毫米波雷達(dá)信號(hào)鏈 低軌衛(wèi)星載荷 6G微基站 高精度電阻 抗干擾電阻
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1700V耐壓破局！Wolfspeed MOSFET重塑輔助電源三大矛盾
在電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)汽車(chē)及可再生能源系統(tǒng)的隱形戰(zhàn)場(chǎng)——輔助電源系統(tǒng)中，Wolfspeed 1700V SiC MOSFET以顛覆性耐壓能力直擊行業(yè)痛點(diǎn)：在確保多源采購(gòu)靈活性的前提下，同步實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)尺寸縮減30%、壽命延長(zhǎng)2倍、綜合成本降低25%，破解了高可靠性與低成本難以兼得的“三難困境”。
2025-07-02
Wolfspeed 碳化硅 1700V SiC MOSFET 輔助電源 電機(jī)驅(qū)動(dòng)供電方案 EV充電器待機(jī)電源 多源采購(gòu)策略
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重磅公告！意法半導(dǎo)體2025年Q2業(yè)績(jī)發(fā)布及電話會(huì)議時(shí)間確定
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST；紐約證券交易所代碼:STM) 將在2025年7月24日歐洲證券交易所開(kāi)盤(pán)前公布2025年第二季度財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)。
2025-07-02
意法半導(dǎo)體 財(cái)報(bào) 電話會(huì)議時(shí)間
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超級(jí)電容技術(shù)全景解析：從物理原理到選型實(shí)踐，解鎖高功率儲(chǔ)能新紀(jì)元
超級(jí)電容器（又稱(chēng)雙電層電容器，EDLC）是一種通過(guò)電極與電解液界面形成的雙電層效應(yīng)存儲(chǔ)電能的新型儲(chǔ)能器件。與傳統(tǒng)電容器不同，超級(jí)電容利用多孔碳電極表面形成的納米級(jí)雙電層結(jié)構(gòu)（ Helmholtz層），在電極/電解液界面實(shí)現(xiàn)電荷分離存儲(chǔ)能量。這種物理儲(chǔ)能機(jī)制使其無(wú)需化學(xué)反應(yīng)即可實(shí)現(xiàn)能量的快速存...
2025-07-02
超級(jí)電容 雙電層電容器
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中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)高質(zhì)量發(fā)展創(chuàng)新成果榜單發(fā)布
本次榜單聚焦設(shè)計(jì)、制造、封裝、測(cè)試、材料、裝備等關(guān)鍵環(huán)節(jié),旨在通過(guò)標(biāo)桿示范推動(dòng)行業(yè)技術(shù)突破與生態(tài)協(xié)同,助力中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量發(fā)展。
2025-07-01
半導(dǎo)體行業(yè)
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第八屆中國(guó) IC 獨(dú)角獸榜單發(fā)布
本次評(píng)選聚焦集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈,旨在挖掘具有高成長(zhǎng)性和技術(shù)突破的創(chuàng)新企業(yè),通過(guò)系統(tǒng)化估值與行業(yè)賦能,助力中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在全球競(jìng)爭(zhēng)中實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量發(fā)展。
2025-07-01
中國(guó) IC 獨(dú)角獸
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選對(duì)扼流圈，EMC不再難！關(guān)鍵參數(shù)深度解析
在電子設(shè)備日益精密且電磁環(huán)境日趨復(fù)雜的今天，共模扼流圈（Common Mode Choke，CMC） 作為抑制共模噪聲、確保設(shè)備電磁兼容性（EMC）的關(guān)鍵屏障，其選型正確與否直接關(guān)乎系統(tǒng)穩(wěn)定與合規(guī)認(rèn)證。面對(duì)市場(chǎng)上型號(hào)繁雜的扼流圈，工程師如何撥開(kāi)迷霧，精準(zhǔn)鎖定最適合的那一款？本文提供一套系統(tǒng)、實(shí)用的選...
2025-06-30
共模扼流圈選型 共模扼流圈選擇 共模扼流圈型號(hào) CMC選型 EMI濾波器選型
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3μV噪聲極限！正弦波發(fā)生器電源噪聲凈化的七階降噪術(shù)
當(dāng)10MHz正弦波的電源抑制比（PSRR）下降20dB，輸出信號(hào)總諧波失真（THD）將惡化10倍！高頻開(kāi)關(guān)電源的百mV級(jí)紋波、LDO基準(zhǔn)源的μV級(jí)噪聲，甚至PCB地彈效應(yīng)，都可能在輸出頻譜上產(chǎn)生-60dBc的雜散。本文揭示三類(lèi)電源噪聲（低頻紋波/高頻開(kāi)關(guān)/地回路干擾）的耦合路徑，并提供從芯片級(jí)到系統(tǒng)級(jí)的七重凈化...
2025-06-30
正弦波發(fā)生器 正弦波電源降噪 LDO選型指南 開(kāi)關(guān)電源濾波 電池供電系統(tǒng) 電源抑制比提升 PCB接地設(shè)計(jì)
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