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RS瑞森低壓MOS在電動車控制器中的應(yīng)用
電動車最初是用來替代自行車和摩托車，由于其具有便捷、經(jīng)濟(jì)環(huán)保等特點(diǎn)，很快便占據(jù)了龐大市場，并逐漸發(fā)展了電動三輪車、小型電動工程車、電動觀光車等各種類型的電動車。
2022-12-12
RS瑞森 低壓MOS 電動車控制器
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橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為：關(guān)斷時
具有驅(qū)動器源極引腳的SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動器源極引腳的SiC MOSFET產(chǎn)品相比，在橋式結(jié)構(gòu)情況下的柵-源電壓的行為不同。在上一篇文章中，我們介紹了LS（低邊）SiC MOSFET導(dǎo)通時的行為。本文將介紹低邊SiC MOSFET關(guān)斷時的行為。
2022-12-12
柵極-源極 關(guān)斷時
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聚焦器件可靠性、柵極驅(qū)動器創(chuàng)新和總體系統(tǒng)解決方案
碳化硅（SiC）技術(shù)能在大幅提高當(dāng)前電力系統(tǒng)效率的同時降低其尺寸、重量和成本，因此市場需求不斷攀升。但是SiC解決方案并不是硅基解決方案的直接替代品，它們并非完全相同。為了實(shí)現(xiàn)SiC技術(shù)的愿景，開發(fā)人員必須從產(chǎn)品質(zhì)量、供貨情況和服務(wù)支持等各個方面仔細(xì)評估多家產(chǎn)品和供應(yīng)商，并了解如何優(yōu)化...
2022-12-09
SiC應(yīng)用 柵極驅(qū)動器 系統(tǒng)方案
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高可靠性電容式MEMS麥克風(fēng)在車載中的應(yīng)用
采用MEMS技術(shù)制造的電容式硅麥克風(fēng)在小型化、性能、可靠性、環(huán)境耐受性、成本及量產(chǎn)能力上與ECM（Electret Capacitance Microphone）相比具有巨大優(yōu)勢，一經(jīng)推出變迅速占領(lǐng)手機(jī)、PDA（Personal Digital Assistant）、耳機(jī)等消費(fèi)電子產(chǎn)品市場。
2022-12-09
電容式 MEMS麥克風(fēng) 車載應(yīng)用
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xEV逆變器功能安全系統(tǒng)概念解決方案
ISO26262汽車功能安全國際標(biāo)準(zhǔn)是所有汽車制造商的通用標(biāo)準(zhǔn)，也是系統(tǒng)制造商的必然要求。因此，從開發(fā)策劃階段開始便需要符合該標(biāo)準(zhǔn)。
2022-12-08
xEV逆變器 安全系統(tǒng) 解決方案
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自動駕駛汽車具有低EMI／EMC輻射的高壓轉(zhuǎn)換器解決方案
未來自動駕駛汽車（和卡車）所必需的汽車系統(tǒng)的擴(kuò)散即使在現(xiàn)在也繼續(xù)獲得動力。當(dāng)然，電壓和電流水平會發(fā)生變化;然而，對低EMI/EMC輻射的要求不會消失，它們需要運(yùn)行的惡劣環(huán)境也不會消失。幸運(yùn)的是，現(xiàn)在和將來有越來越多的解決方案可以幫助系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員，即使2030年代中期似乎還有很長的路要走。
2022-12-06
自動駕駛汽車 EMI／EMC輻射 高壓轉(zhuǎn)換器
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高階整車域控制器的詳細(xì)設(shè)計(jì)方案
汽車“四化”發(fā)展方向是汽車工業(yè)未來的發(fā)展趨勢，其中包含自動駕駛、網(wǎng)聯(lián)化、動力系統(tǒng)電氣化和共享移動化。隨著智能駕駛技術(shù)對于整車智能化程度要求的不斷提升，對其整車的控制能力要求也大幅提升，這一過程推動整車電子電器架構(gòu)逐漸從分布式架構(gòu)向集中式專用域控制器架構(gòu)進(jìn)行不斷演進(jìn)和發(fā)展，以便提...
2022-12-06
高階整車 域控制器 設(shè)計(jì)方案
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用于 EV 充電系統(tǒng)柵極驅(qū)動的隔離式 DC／DC 轉(zhuǎn)換器
電動汽車充電系統(tǒng)正在不斷發(fā)展。目前通常使用 400V 電池充電總線電壓的 AC Level 2 壁掛式充電盒正在向需要 800V 總線電壓的直流快速充電 (DCFC) 系統(tǒng)遷移。像碳化硅這樣的寬帶隙功率器件非常適合這些應(yīng)用，與硅 IGBT 相比具有更低的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗。然而，SiC 更快的開關(guān)速率以及更高的電壓會對柵...
2022-12-05
EV 充電系統(tǒng)柵極驅(qū)動 隔離式 DC／DC 轉(zhuǎn)換器
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適用于下一代大功率應(yīng)用的XHP2封裝
軌道交通牽引變流器的平臺化設(shè)計(jì)和易擴(kuò)展性是其主要發(fā)展方向之一，其對半導(dǎo)體器件也提出了新的需求。一方面需要半導(dǎo)體器件能滿足更寬的電壓等級和電流等級，另一方面也要兼容電力電子器件的新技術(shù)，比如IGBT5/.XT或SiC MOSFET。這樣既有利于電力電子系統(tǒng)的平臺化設(shè)計(jì)，也可以增加系統(tǒng)的功率密度，減...
2022-12-05
大功率應(yīng)用 XHP2封裝
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