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SiC設(shè)計干貨分享（一）：SiC MOSFET驅(qū)動電壓的分析及探討
隨著制備技術(shù)的進(jìn)步，在需求的不斷拉動下，碳化硅（SiC）器件與模塊的成本逐年降低。相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)與應(yīng)用也得到了極大的加速。尤其在新能源汽車，可再生能源及儲能等應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展，更是不容小覷。
2022-06-15
SiC MOSFET 驅(qū)動電壓
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25kW SiC直流快充設(shè)計指南(第六部分)：用于電源模塊的柵極驅(qū)動系統(tǒng)
在本系列文章的第一至第五部分[1-5]中，我們從硬件角度和控制策略上廣泛介紹了25 kW電動汽車充電樁的開發(fā)。圖1代表到目前為止所討論的系統(tǒng)。
2022-06-15
直流快充 電源模塊 柵極驅(qū)動
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性能出眾的1200V第四代SiC FET為高壓市場提供了優(yōu)秀的SiC功率解決方案
UnitedSiC（現(xiàn)名Qorvo）擴(kuò)充了其1200V產(chǎn)品系列，將其突破性的第四代SiC FET技術(shù)推廣到電壓更高的應(yīng)用中。新UF4C/SC系列中的六款新產(chǎn)品的規(guī)格從23毫歐到70毫歐，現(xiàn)以TO247-4L（采用開爾文連接）封裝提供，而1200V的53毫歐和70毫歐SiC FET還以TO247-3L封裝提供。這些新發(fā)布的SiC FET具有不凡的性能，...
2022-06-15
SiC FET 高壓市場 解決方案
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電解電容
在博文 基于光耦的LED振蕩電路[1] 介紹了一款基于光耦的多諧振蕩電路，對于光耦前向耦合電流增益的特性進(jìn)行了討論。博文分別被公眾號 TSINGHUAZHUOQING[2] 與 電子工程專輯[3] 轉(zhuǎn)載。
2022-06-14
電解電容 光耦 振蕩電路
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電解電容
在博文 基于光耦的LED振蕩電路[1] 介紹了一款基于光耦的多諧振蕩電路，對于光耦前向耦合電流增益的特性進(jìn)行了討論。博文分別被公眾號 TSINGHUAZHUOQING[2] 與 電子工程專輯[3] 轉(zhuǎn)載。
2022-06-14
電解電容 光耦 振蕩電路
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電動汽車對提高車輛效率的需求正在改變供應(yīng)鏈
幾年來，xEV的普及率一直很高。預(yù)計2021至2027年間，全球xEV市場的復(fù)合年增長率將達(dá)到21%，所有細(xì)分市場的復(fù)合年增長率都將加快。隨著BEV采用率的快速增長，混合動力技術(shù)也將大幅增長。事實(shí)上，不同技術(shù)的普及率取決于地區(qū)。
2022-06-13
電動汽車 車輛效率 供應(yīng)鏈
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保護(hù)IGBT和MOSFET免受ESD損壞
功率MOSFET用戶都非常熟悉“靜電敏感器件”警告標(biāo)志。然而，越熟悉越容易大意。從統(tǒng)計的角度來看，單個MOSFET不太可能被靜電放電（ESD)損壞。然而，在處理成千上萬個MOSFET時，極小的故障都可能帶來極大的影響。
2022-06-13
IGBT MOSFET ESD
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在自動駕駛汽車中實(shí)現(xiàn)5G和DSRC V2X
很顯然，車輛通信是實(shí)現(xiàn)更高的自動駕駛水平的重要推動因素。但是，長期以來，汽車廠商一直在研究分析所需的無線接入技術(shù)應(yīng)基于蜂窩技術(shù)（也稱為C-V2X）還是基于直接接入技術(shù)（稱為DSRC）。在本文中，我們將展示未來的自動駕駛場景需要協(xié)調(diào)或組合使用這兩種技術(shù)。先進(jìn)的多無線標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備需要集成分別采...
2022-06-10
自動駕駛汽車 5G DSRC V2X
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安霸CV2FS/CV22FS獲得ASIL C芯片功能安全認(rèn)證，超越市場同類芯片水平
2022年6月7日，美國加利福尼亞州圣克拉拉市，Ambarella (下稱“安霸”，納斯達(dá)克股票代碼：AMBA，專注AI視覺感知的半導(dǎo)體公司) 于今天宣布，其汽車AI視覺感知芯片（SoC）CV2FS/CV22FS成功通過exida的ASIL C芯片功能安全認(rèn)證，獲得證書，并且其內(nèi)置的功能安全島為ASIL D級別。CV2FS/CV22FS這一功能安全...
2022-06-08
安霸 CV2FS/CV22FS 芯片
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